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年公務人員普通考試試題 代號：
類 科： 電力工程、電子工程、電信工程
科 目： 電子學概要
考試時間： 1小時 30 分 座號：
※注意：
可以使用電子計算器，須詳列解答過程。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
全一張
（
正面
）
44160
44260
44360
一、試畫出一互補式金氧半場效電晶體（CMOS）之剖面圖（cross-section），請清楚標
示所使用之各項半導體物質與節點名稱，並解釋源極（Source）與汲極（Drain）之
間通道長度調變效應發生之原因。（20 分）
二、如圖一所示電路，所有 MOSFET 的轉導（transconductance）等於 gm，輸出電阻皆
為ro，試推導圖一中之輸出電阻 Rout =？（20 分）
圖一
三、圖二所示電路中，BJT 電晶體之共射極順向短路電流增益 βF = 150，Ibias = 0.6 mA，
VBE 約為 0.7 V，熱電壓 VT為24 mV，耦合電容 C接近無限大。
試計算直流集極電流及集極電壓。（10 分）
畫出此放大器之小訊號等效電路圖。（10 分）
求出放大器電壓增益 vo / vi =？（10 分）
圖二
M2M1
M3
Rout
IREF
VDD
30 kΩ
vo
C
Ibias
vi
C 300 kΩ
VDD
200 Ω
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年公務人員普通考試試題 代號：
類 科： 電力工程、電子工程、電信工程
科 目： 電子學概要
全一張
（
背面
）
44160
44260
44360
四、圖三所示放大器電路中，MOSFET 電晶體製程參數如下：kn’ = μnCox = 800 μA/V2，
kp’ = μpCox = 450 μA/V2，輸出電阻 ro為200 kΩ；所有的電晶體尺寸 W/L = 10，
IREF = 100 μA。假設 M1的內部寄生電容 Cgs = 20 f F ，Cgd = 5 f F ，負載電容 CL = 25 f F
且CL已涵蓋 M2所引入之所有寄生電容，Rsig = 10 kΩ。
忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益 vo / vi =？（10 分）
使用米勒定理，計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。（10 分）
使用開迴路時間常數法，計算此放大器之高頻 3 dB 頻率 fH。（10 分）
圖三
CL
M1
vo
M2
VDD
M3
IREF vi
Rsig