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年公務人員特種考試原住民族考試試題
代號：
等 別： 三等考試
類 科： 電力工程
科 目： 電子學
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
全一張
（
正面
）
31650
31750
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區（depletion region）如何形成？同時說明二極體加
順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。（20 分）
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS電壓，同時在汲極及源極加適當VDS電壓
，讓元件導通於三極管區（triode region），然後VDS再增加時，其IDS電流的變化為
何？同時說明其原因。（20 分）
三、下圖所示之反饋電路，其中兩個電晶體的特性相同，同時皆有I = 1 mA之理想電流
偏壓，電晶體工作於VOV（overdrive voltage）= 0.2 V，另外Vt（threshold voltage, 臨
限電壓）= 0.5 V、VA（Early voltage）= 20 V、R1 = 10 kΩ、R2 = 10 kΩ。試求：
Q1及Q2之gm和ro之值。（10 分）
Af（Af = Vo/ Is）、Rin及Rout之值。（10 分）
R
in
R
out
I
I
R
1
R
2
Vo
Q1
Q2
IS
VDD VDD
四、請說明如何調整巴特沃濾波器（Butterworth filters）參數以得到所需之Amin及過渡帶
（transition band）？（20 分）
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年公務人員特種考試原住民族考試試題
代號：
等 別： 三等考試
類 科： 電力工程
科 目： 電子學
全一張
（
背面
）
31650
31750
五、下圖所示為共源級電路之等效電路，其中Cgs = 3 pF，Cgd = 0.2 pF，CL = 2 pF，
gm = 5 mA/V，Rs = 10 kΩ，R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ，R3 = 10 kΩ。試求：
AM（midband gain）之值。（10 分）
3 dB頻率fH之值。（10 分）
Cgd
Cgs
RsGD
Vo
CL
R3
R1
R2
Vgs
VsgmVgs
+ ++
- --