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100 年特種考試地方政府公務人員考試試題 代號：
等 別： 三等考試
類 科： 電力工程、電子工程、電信工程
科 目： 電子學
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
全一張
（
正面
）
33960
|
34160
一、試分析以下之電路，若運算放大器之偏移電壓（offset voltage）為 10 mV，輸入阻
抗為無窮大，輸出阻抗為 0，增益為 10 倍，vi = 1 V，R1 = 1 kΩ，R2 = 9 kΩ。
試求 為何？（10 分）
o
v
試求小信號增益（ i
ov
v）為何？（5分）
R2
vo
vi
R1
二、試分析以下之電路。若二極體之電流（ID）與順偏電壓（VD）可近似為 T
D
sD V
V
II exp=，
25℃之熱電壓（VT）為 25 mV。D1之飽和電流（Is1）為D2飽和電流（Is2）的 1/10。
試求 =？（10 分）
o
VVDD
10mA
1mA
D1D2
Vo
VSS
若PN 接面溫度上升至 50℃，則 =？（10 分）
o
V
三、試分析以下之電路。若RL = 1 kΩ，C = 1 μF，電晶體M1與Q1之轉導值（gm）皆為 1
mA/V，且其輸出阻抗（ro）皆為無窮大，Q1之電流增益值β = 100，電流源Ib1與Ib2之
輸出阻抗亦為無窮大。 V V
DD DD
Ib1
Ib2
vo
vi
vbM1
C
RL
Q1
+
‐
試求高頻小信號增益（ i
ov
v）為何？（10 分）
試求 i
ov
v之低頻 3dB 頻率點為何？（10 分）
100 年特種考試地方政府公務人員考試試題 代號：
等 別： 三等考試
類 科： 電力工程、電子工程、電信工程
科 目： 電子學
全一張
（
背面
）
33960
|
34160
四、分析如下之電路。若R1 = 9 kΩ，R2 = 100 kΩ，Rs = 10 kΩ，C1 = 10 pF，C2 =1 pF，
Ib1為直流電流源，ii為交流電流輸入信號，電晶體M1與M2之轉導值（gm）皆為 1
mA/V，忽略其輸出阻抗ro。
試求低頻小信號增益（ i
oi
v）為何？（10 分）
試求（ i
oi
v）之低頻 3dB 頻寬。（10 分）
VDD
R1R2C2
vo
M1
M2
Ib1C1iiRs
五、分析如下之數位電路。若數位電路之邏輯 1為5 V，邏輯 0為0 V，反向器D1之傳
遞延遲為 1奈秒（n sec），D2之傳遞延遲為 2奈秒（n sec）。
試求Vo之頻率。（5分）
Vo之工作週期（duty cycle）為何？（10 分）
試求 NAND gate 之動態功率消耗。（10 分）
D1D2
1nF
Vo
D1