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110年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
材料工程
科 目
：
材料分析
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目得以本國文字或英文作答。
代號：
36350
頁次：
1
－
1
一、空間解析度（spatial resolution）是成像技術重要規格，請分別對光學顯
微鏡（OM），穿透式電子顯微鏡（TEM）及掃描式電子顯微鏡（SEM），
論述決定其空間解析度的成因，並敘述如何提升其空間解析度。（25 分）
二、以繞射理論為基礎，為何結晶體中有些平面族不會產生繞射？這個現象
也可以從結構因子（structure factor）來求解，請先推導結構因子的數學
式，再利用此數學式來論述同屬體心立方結構的 NaCl 及Si 的可繞射面
及不可繞射面的條件。（25 分）
三、二次離子質譜儀（SIMS）與拉賽福背向散射分析儀（RBS）是兩個相似
的成分分析技術，同樣以離子為入射源且以離子為接收訊號源，試申論
在碰撞機制、結果呈現、提供分析資訊有何差異性。（25 分）
四、X-光光電子能譜儀（XPS）與歐傑電子能譜儀（AES）都是分析化學鍵
結非常有用的技術，請先論述個別技術之原理，說明其結果呈現方式，
再詳細說明這兩個技術之不同處。電子能量損失能譜圖（EELS）比上述
兩個技術上有何分析上的優勢？（25 分）