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108年公務人員高等考試三級考試試題
類科：
材料工程
科目：
材料分析
考試時間：2小時 座號：
※注意： 禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：27750
頁次：1
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一、X光繞射分析為解析材料晶體結構常用的技術，
請說明 X光繞射原理。
（10 分）
當欲分析的樣品為薄膜時，一般會選用低掠角 X光繞射儀，請
說明其原因。（5分）
若改以電子束進行繞射，所得繞射結果有何異同？
（10 分）
二、由於材料及應用的發展趨勢均朝向微小化，微結構的觀察在製程開發上
顯得相當重要，目前穿透式電子顯微鏡的高解析影像（HRTEM）及掃瞄
穿透式電子顯微鏡的高角度環形暗場像（STEM/HAADF）均能得到原子
級的解析度，
請說明解析度的定義？（5分）
請說明以上兩種設備
之解析度主要決定因素分別為何？（10 分）
請說明以上兩種方式形成
原子級解析度影像的機制。（10 分）
三、EDS 是分析樣品組成時常用的技術，
請說明其分析原理，（10 分）
EDS
通常被認為僅能做半定量分析，請說明其原因，（10 分）
如何判斷所得
EDS 數據的好壞？（5分）
四、材料的局部電子結構，例如金屬元素的價態，對材料特性極為重要。XAS
為目前常用的電子結構分析方法，
請說明經由 XAS 分析可獲得那些
材料訊息，並說明 XAS 的分析原理，（20 分）
與EELS 相比，何者能
分析的能量範圍較大？（5分）