加載中. ..
PDF
109年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
材料工程
科 目
：
材料分析
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
36650
頁次：
1
－
1
一、X光繞射儀（XRD）之基本結構組成包括那些？各具有的功能為何？
（15分）
如何從XRD繞射圖型中所量測之繞射訊號得知晶體之平面間距？（10分）
二、掃描式電子顯微鏡（SEM）成像之訊號源是如何產生？訊號源有何特徵？
（10分）
說明電子束之尺寸與電流對SEM影像品質及放大倍率之影響。（10分）
三、X光光電子能譜儀（XPS）常用之光源與光電子訊號特徵為何？（15分）
以XPS進行矽晶體表面分析，如何從矽之訊號判斷是否有寄生氧化物
（native oxide）生成？又如何從訊號特徵估計出氧化之狀況或程度？
（10分）
四、如欲分析鋁合金中常有的非平衡相析出物，包括形狀、尺寸、晶體結構、
化學組成及其與鋁基材（matrix）之方位/界面關係，試述可採用的分析技
術及採用之依據，並敘述製備試樣之方法與條件。（30分）