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選擇題【共 50 題,每題 2 分,共 100 分】
1. 有一正弦波交流電壓信號
,則下列敘述何者錯誤?
(A)
V (B)
V (C)週期T=20ms (D)頻率f=60Hz
2. 某電源供應器,若空載時輸出為20V,滿載時輸出為18V,則電路電壓調整率V.R.%為
何?
(A)10% (B)11.1% (C)12.5% (D)-10%
3. 有一矽二極體,在20°C時的逆向飽和電流為3nA,當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為
(A)12nA (B)24nA (C)36nA (D)48nA
4. LED所發出光的顏色,與下列何者有關?
(A)外加電壓 (B)外加電流 (C)使用的材料 (D)摻雜濃度
5. 有一交流電壓信號
,經半波整流電路後,則一週期內輸出電壓平均
值應為
(A)100V (B)70.7V (C)63.6V (D)31.8V
6. 在常溫下,鍺的本質濃度為
原子/
,若摻雜的砷原子濃度為
原子/
,
試求其電洞濃度為?原子/
(A)
(B)
(C)
(D)
7. 電晶體元件的規格資料表中
參數,指的是何種電流增益值為
(A) α (B) β (C) γ (D) π
8. 若α=0.99的電晶體,其
=10.2mA,
=10mA,則此電晶體操作於
(A)主動區 (B)逆向主動區 (C)飽和區 (D)截止區
9. 電晶體共基極組態的洩漏電流
與共射極組態的洩漏電流
的關係為
(A)
(B)
(C)
(D)
10. 如【圖1】所示之電晶體放大器,
、
100、
、
、
,請問下列何者錯誤?
(A)
=2.5mA (B)
=25μA (C)
=2.5V (D)
=5V
【圖1】 【圖2】
11. 如【圖2】所示為共基極式偏壓電路,請問下列何者正確?
(A)
=0.5mA (B)
=0.7mA (C)
=8.55V (D)
=5V

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12. 就達靈頓電路的特性而言,下列何者錯誤?
(A)電壓增益很高 (B)電流增益很高 (C)輸入阻抗很高 (D)輸出阻抗很低
13. 如【圖3】所示之電晶體放大器,若
=1KΩ,
試求此放大器之輸入阻抗Zi為?
(A)10KΩ
(B)40KΩ
(C)245KΩ
(D)7.75KΩ
14. 有一放大電路的功率增益為20dBm,則輸出功率為何?
(A)10mW (B)100mW (C)1mW (D)2mW
15. 在串級放大系統中,何種連接方式最易達成阻抗匹配?
(A)R-C耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)達靈頓電路
16. 有一N通道JFET,其
,
,請問當直流偏壓
時,其汲極電流
為何?
(A)4mA (B)3mA (C)1.5mA (D)1mA
17. 有關BJT與FET的比較,下列敘述何者正確?
(A)FET為雙極性電晶體
(B)BJT為單極性電晶體
(C)一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小
(D)BJT為一種電壓控制元件
18. 一增強型MOSFET臨界電壓
,當
時,
,若
,則
為?
(A) 1mA (B) 1.5mA (C) 3mA (D) 4.5mA
19. 在FET的三個交流小訊號參數中,gm、
及三者之關係為
(A)
(B)
(C)
(D)
20. 運算放大器的內部主要結構中的輸入級為
(A)定電流源電路 (B)差動放大器 (C)高增益放大器 (D)射極隨耦器
21. 運算放大器之積體電路編號741的接腳定義,下列何者錯誤?
(A)第3腳為輸出 (B)第2腳為反相輸入端
(C)第8腳為空腳 (D)第7腳為+
22. 如【圖4】所示之電壓比較顯示電路,當Cds的電
阻值為5KΩ時,則LED顯示情形為?
(A)LED1亮 (B)LED2亮
(C)LED1與LED2都亮 (D)LED1與LED2都滅
23. 下列何者為正弦波振盪器?
(A)考畢子振盪器 (B)施密特振盪器
(C)單穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器

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24. 在哈特萊振盪器中,其正回授是採用
(A)電阻回授 (B)電容分壓式 (C)電感分壓式 (D)電壓並聯
25. 如【圖5】所示,已知
,
=1MΩ,則此放大器的
為
(A) 1MΩ (B) 2KΩ (C) 333Ω (D)500Ω
【圖5】 【圖6】
26. 電子實習中,常使用負電阻電路,下列何者可正確完成電路?
(A)稽納二極體 (B)透納二極體 (C)蕭特基二極體 (D)變容二極體
27. 如【圖6】中,若D屬於理想二極體,則下列何種作法對改善漣波因素(ripple factor)的
效果最差:
(A)將輸入電壓變小 (B)將電容值加大 (C)改用全波整流 (D)將電阻值加大
28. 對一60Hz全波橋式整流電路,如其輸出具有60Hz的漣波時,則其電路可能為
(A)濾波電容器漏電 (B)變壓器二次側短路
(C)電路工作正常 (D)有一二極體開路
29. 如【圖7】電路中,二極體D之作用為:
(A)半波整流 (B)保護電晶體 (C)溫度補償 (D)防止雜音
30. 【圖8】中的
=
(A)-76 (B)-90 (C)-98 (D)-110
【圖7】 【圖8】

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31. 如【圖9】為何種電路?
(A)反相微分器 (B)反相積分器 (C)非反相微分器 (D)非反相積分器
【圖9】 【圖10】
32. OPA應用電路中,如【圖10】屬於下列何種電路?
(A)微分器 (B)積分器 (C)指數放大器 (D)對數放大器
33. 下列何項不是一理想運算放大器(OP amp.)所具之特性?
(A)輸出阻抗為零 (B)頻寬(Bandwidth)無限大
(C)開環路電壓增益無限大 (D)輸入阻抗為零
34. IC555若外加電源15V,則內部較低之比較電位為?(V)
(A)5V (B)10V (C)12V (D)15V
35. PN二極體是
(A)拋物線元件 (B)線性元件 (C)非線性元件 (D)以上皆非
36. 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數何者較多?
(A)不會產生新電子或電洞 (B)一樣多
(C)電洞數 (D)電子數
37. 一交流電流
( ) 10sin785 ( )i t t mA
流過1kΩ電阻,則電流波形的頻率為
(A)125Hz (B)785Hz (C)250Hz (D)10Hz
38. 下列敘述何者錯誤?
(A)矽半導體隨溫度上升,其電阻值增加
(B)N型半導體的少數載子為電洞
(C)本質半導體中所加入的五價元素稱為施體
(D)在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體
39. 就整流電路而言,半波整流、全波整流及橋式整流電路之比較,以下敘述何者錯誤?
(Vm為輸入電壓的峰值)
(A)此三者其輸出電壓的平均值(直流值)依序分別為
,
,
(B)此三者其二極體使用數依序分別為1,2,4個
(C)此三者其輸出時二極導通數依序分別為1,1,2個
(D)此三者其二極體逆向電壓峰值PIV依序分別為Vm
,
Vm
,
2Vm
40. 以示波器觀察頻率5kHz的交流波形,若水平時基旋鈕選擇在
位置,則示波
器螢幕可以顯示幾個週期的波形?
(A)10 (B)2.5 (C)5 (D)4

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41. 如【圖11】所示,電路如圖(a),輸入電壓
V ( ) 100sin(377 )
in t t V
,二極體均視為理想二
極體。若輸出電壓
波形如圖(b)所示,則其故障原因最可能為何?
(A)D2開路
(B)D1與D2短路
(C)D1開路
(D)R開路
42. 發光二極體的發光強度與何者成正比關係?
(A)溫度 (B)電子、電洞復合率
(C)少數載子流 (D)摻雜濃度
43. 在未外加偏壓下,下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述,請問何者錯誤?
(A)達到平衡狀態時,在空乏區P側中有電洞、在N側中有自由電子
(B)所形成的障壁電位,在空乏區N側的電位比P側的電位高
(C)在空乏區中,P側有負離子、N側有正離子
(D)P、N 兩側空乏區的寬度,其所摻雜的雜質濃度愈高,則該側空乏區的寬度愈窄
44. 比較共基極電流增益
、共射極電流增益
與共集極電流增益
的大小
(A)
>
>1>
(B)
>
>
>1 (C)
>
>
>1 (D)
>1>
>
45. 試求【圖12】中電路之
(A) +4V (B) 5V (C) +10V (D) 13V
【圖12】 【圖13】
46. 如【圖13】若
,
,
,
,
,
,
OPA為理想,則
為多少伏特?
(A)5V (B)15V (C)20V (D)25V

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47. 如【圖14】運算放大器為理想,若
,求輸出電壓
=?
(A)10.2V (B)7.3V (C)4.9V (D)3.7V
【圖14】 【圖15】
48. 如【圖15】所示之方波振盪器電路,下列敘述何者錯誤?
(A)C之數值增加,則振盪頻率下降
(B)R2之數值增加,則振盪頻率增加
(C)對實際OPA而言,
之峰對峰值接近
(D)對實際OPA而言,
之工作週期(duty cycle)約為50%
49. 一濾波電路輸出電壓為
( ) 20 2 2sin( )
o
v t t
,試計算此電路之漣波百分比為
(A)7.07% (B)20% (C)10% (D)14.14%
50. 有一濾波器其電壓增益為
,試問此為何種濾波器?
(A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒

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107 年度從業職員及從業評價職位人員甄試甄試答案
甄試類別:從業評價職位人員-電子電機、電氣
專業科目1:電子學
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