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【請接續背面】
臺灣菸酒股份有限公司 110 年從業職員及從業評價職位人員甄試試題
甄試類別【代碼】：從業評價職位人員／電子電機【S6408-S6412】
專業科目 1：電子學
＊入場通知書編號：______________________
注意：作答前先檢查答案卡，測驗入場通知書編號、座位標籤、應試科目是否相符，如有不同應立即請
監試人員處理。使用非本人答案卡作答者，該節不予計分。
本試卷一張雙面，四選一單選選擇題共 50 題，每題 2分，共 100 分。限用 2B 鉛筆在「答案卡」
上作答，請選出一個正確或最適當答案，答錯不倒扣；以複選作答或未作答者，該題不予計分。
請勿於答案卡書寫應考人姓名、入場通知書編號或與答案無關之任何文字或符號。
本項測驗僅得使用簡易型電子計算器（不具任何財務函數、工程函數、儲存程式、文數字編輯、
內建程式、外接插卡、攝（錄）影音、資料傳輸、通訊或類似功能），且不得發出聲響。應考人
如有下列情事扣該節成績 10 分，如再犯者該節不予計分。1.電子計算器發出聲響，經制止仍執意
續犯者。2.將不符規定之電子計算器置於桌面或使用，經制止仍執意續犯者。
答案卡務必繳回，未繳回者該節以零分計算。
【3】1.有關運算放大器(OPA)的理想特性，下列敘述何者正確？
差動輸入共模增益為無限大 輸入阻抗為零
開路增益無限大 輸出阻抗無限大
【1】2.如【圖 2】所示的電路為理想運算放大器(OPA)，其電源電壓為±15V，若𝑅2= 4𝑅1，當 Vi為2.4V 時，求 Vo處的
電壓，下列何者正確？
-9.6V
-7.6V
+7.6V
+9.6V
【2】3.某差動放大器，差模訊號電壓增益 Ad為100，而共模拒斥比 CMRR＝40dB，請求其共模訊號電壓增益 Ac為何？
2.5 1 0.1 0.04
【2】4. N 通道加強型 MOSFET 的閘-源電壓 VGS 應如何才能使電晶體操作在夾止飽和區？
VGS＞VGS(t)，VGD≧VGS(t) VGS＞VGS(t)，VGD≦VGS(t)
VGS＜VGS(t)，VGD≦VGS(t) VGS＜VGS(t)，VGD≧VGS(t)
【1】5.有關電晶體共基極(CB)電流增益 α與共射極(CE)電流增益 β關係，下列敘述何者正確？
1+β=1/(1-α) 1/β=(1/α)+1 β=α/(1+α) α=β/(1-β)
【2】6.有關雙極性電晶體(BJT)與場效電晶體(FET) ，下列敘述何者錯誤？
BJT 與FET 均可當為放大器
BJT 是電壓控制裝置，而 FET 是電流控制裝置
BJT 有較高的增益，而 FET 有更高的輸入阻抗
FET 通常比 BJT 更容易受到靜電放電(Electrostatic Discharge)的破壞
【3】7.互補 MOSFET 使用 p-通道與 n-通道 MOSFET(CMOS)，下列敘述何者錯誤？
常應用於邏輯電路設計 具有高輸入阻抗
具有低的切換速率 具有低的操作功率準位
【4】8.有關增強型 MOSFET 於不同工作區，下列敘述何者錯誤？
截止區：VGS≦VGS(t)，VGD≦VGS(t) 歐姆區：VGS > VGS(t)，VGD≧VGS(t)
飽和區：VGS > VGS(t)，VGD≦VGS(t) 開關區：VGS < VGS(t)，VGD≧VGS(t)
【4】9.有關二極體的敘述，下列何者錯誤？
稽納(Zener)二極體一般使用在逆向偏壓下工作
稽納二極體最常用於穩壓電路
稽納二極體順向導通時，其特性同於一般矽二極體，其順向電壓約為 0.6V～0.7V
二極體的空乏電容隨著逆偏電壓的增加而增加
【4】10.電晶體的三種組態放大電路，其電流增益何者最大？
共振極 共基極 共射極 共集極
【3】11.理想的場效電晶體(FET)放大器工作原理及交流等效電路，下列敘述何者錯誤？
工作於夾止飽和區 FET 通道長度調變即歐力效應(Early Effect)
交流等效輸出電阻與汲極-源極端電壓大小有關 通道長度變長電阻變大
【3】12.如【圖 12】所示為一個三級串接放大器，若輸入電壓 Vi=10 uV，則輸出 Vo為多少？
10mV
20mV
40mV
80mV
【1】13.【圖 13】為信號源阻抗 Rs = 1 kΩ，Ro = 4kΩ，轉導放大器輸入阻抗 Ri =1 kΩ，轉導增益 Gms=2 mA/V，則 Vo/Vs=？
-4 4 -8 8
【4】14.一週期性脈波訊號其正峰值為+10V，負峰值為-5V。若此訊號的平均值為+7V，則工作週期(duty cycle)為何？
40% 50% 60% 80%
【1】15.如【圖 15】所示濾波電路，若 OPA 為理想運算放大器，則電路的臨界頻率（截止頻率）約為多少？
0.1kHz 0.5kHz 1kHz 2kHz
【4】16.如【圖 16】電晶體放大電路，假設其工作點於作用區，下列敘述何者錯誤？
電路為共射極放大電路 RB1 及RB2 提供基極偏壓
CE為射極旁路電容，提高交流電壓增益 RE為射極電阻，可提高電壓增益
【2】17.如【圖 17】所示為兩個稽納二極體所構成截波電路，其輸入信號 vi(t)，稽納二極體之順向偏壓為 1V，而其在反偏
之崩潰電壓分別為 VZ1 = 4V 與VZ2 = 6V，輸出信號 vo(t)的平均值電壓應為多少？
-0.6 0.4 0.6 0.7
【2】18.下列電子材料中，何者屬於四價元素的材料？
磷(P) 矽(Si) 鋁(Al) 砷(As)
【1】19.一個自由電子的帶電量為多少庫倫？
1.610-19 庫倫的負電荷 1.610-19 庫倫的正電荷
9.110-27 庫倫的負電荷 9.110-31 庫倫的負電荷
【2】20.電路中有一個變壓器，已知變壓器的一次線圈繞有 100 匝，二次線圈繞有 10 匝；在二次線圈連接一個 10Ω 的負
載電阻，測量到 0.5 A 的電流，則一次線圈的電流為多少安培？
0.005 A 0.05 A 0.5 A 5 A
【2】21.如【圖 21】所示電子電路中，對於負載電阻 RL而言，由二極體所組成的電路，稱為下列何者？
半波整流電路 全波整流電路 全波降壓電路 低通濾波電路
【4】22.在P通道電晶體 MOSFET 材料中，P通道內負責主要導電的電荷載體為何？
自由電子 自由電子數目與電洞數目一樣多
帶正電的電子 電洞
【2】23.下列何者為理想運算放大器(OPAMP)的主要特徵之一？
輸出阻抗無窮大
輸入電流近於 0
開迴路電壓增益近於 0
兩個輸入端（反相、非反相）的電壓相同時，輸出電壓的波幅最大
【2】24.如【圖 24】所示的變動波形，其工作週期 D(duty cycle)為何？
0.15 0.25 0.40 1.00
【3】25.如【圖 25】所示的電路中，電容器主要的功用是用來作為何？
整流 降壓 濾波 防止短路
【圖 12】
【圖 2】
【圖 13】
【圖 15】
【圖 16】
【圖 17】
【圖 21】
【圖 24】
【圖 25】
【1】26.理想二極體在接上逆向偏壓時，其導電的性質如同下列何者？
絕緣體，不導電 良導體，會導電 超導體，沒有電阻 半導體，導電性很難判斷
【3】27.如【圖 27】所示的運算放大器電路中，假若輸入電壓 VS= 1 V，則 OPA 的非反相輸入端（標示 +）的電壓為多少？
9 V 1 V 0.5 V 0 V
【4】28.交流訊號 v(t) = 100sin(105t) mV，100 是指訊號的：
平均值 有效值 瞬時值 最大值
【3】29.理想的電源系統，具有某些特定的性能，有關理想電源的敘述，下列何者正確？
理想電壓源內阻抗為無窮大，理想電流源內阻抗為無窮大
理想電壓源內阻抗為無窮大，理想電流源內阻抗為 0
理想電壓源內阻抗為 0，理想電流源內阻抗為無窮大
理想電壓源內阻抗為 0，理想電流源內阻抗為 0
【2】30.由理想放大器所構成的如【圖 30】中，下列敘述何者正確？
輸出電壓 vo為0 這個電路又稱為電壓隨耦器電路
輸出電壓 vo為 -1 輸出電壓 vo為 -vo
【4】31.如【圖 31】所示的理想放大器電路，請問輸出電壓為多少伏特？
120 mV 40.0 mV 20.0 mV -120 mV
【2】32.將一個 10 V、內電阻為 4 Ω 的電源供應器連接到一個負載電阻上，如果要在負載電阻上得到最大功率轉移，則負
載應調整到多少歐姆？
2 Ω 4 Ω 6 Ω 8 Ω
【1】33.依照電子元件發展的時間順序來排列，由最早出現上市應用到最近幾年的實用電子元件，則下列敘述何者正確？
真空管、電晶體、積體電路 電晶體、真空管、積體電路
積體電路、真空管、電晶體 真空管、積體電路、電晶體
【4】34.一般整流二極體當加上偏壓時，下列敘述何者正確？
所謂順向偏壓就是 P端加負電位、N端加正電位 所謂逆向偏壓就是 N端加負電位、P端加正電位
順向偏壓時，空乏層變寬，障蔽電位變大 逆向偏壓超過崩潰電壓時，電流會急遽增大可能燒毀二極體
【3】35.下列何者是發光二極體(LED)的符號？
【4】36.發光二極體 LED 加電壓後所發出來光的顏色，主要是由何種因素來決定？
通過的電流大小 兩端施加電壓的高低
脈波調變(PWM)的頻率高低 所用材料的能帶間隙
【2】37.如【圖 37】所示的場效電晶體是屬於何種結構的場效電晶體？
(a)是P通道增強型 MOSFET；(b)是N通道增強型 MOSFET
(a)是P通道增強型 MOSFET；(b)是N通道空乏型 MOSFET
(a)是N通道增強型 MOSFET；(b)是P通道空乏型 MOSFET
(a)是N通道空乏型 MOSFET；(b)是P通道增強型 MOSFET
【4】38.如【圖 38】所示，方波的波峰因數(crest factor, CF)為何？
0.273 0.333 0.500 1.00
【2】39.由放大器輸出一組訊號 v(t) = 25+100sin(105t) mV 經電容器後、連接到下一級放大器，作為下一級放大器的輸入訊
號，則下列敘述何者正確？
經電容器後的訊號為 v(t) = 25+100sin(105t) mV 經電容器後的訊號為 v(t) = 100sin(105t) mV
經電容器後的訊號為 v(t) = 25 mV 電容器主要的功用是要穩定訊號電壓
【4】40.如【圖 40】所示，截波電路的輸入電壓為 vi(t) = 15sin(100t) mV，非理想稽納二極體的順向導通電壓均為 0.7 V；
而崩潰電壓分別為 ZD1 = 4 V，ZD2 = 7 V，則輸出電壓 vo(t)的上下限分別為何？
輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 +4 V
輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 – 4 V
輸出電壓正半週的上限為 – 7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V
輸出電壓正半週的上限為 +7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V
【2】41.如【圖 41】所示，由理想二極體所組成的電路中，假設 V1 = 2 V，V2 = 4 V，則流過 20 Ω 電阻的電流為何？
0.3 A 0.4 A 0.7 A 1.0 A
【1】42.如【圖 42】所示的電路中，稽納二極體的崩潰電壓為 9 V，則輸出電壓 Vo為何？
9 V 12 V 15 V 20 V
【2】43.在半導體材料中，自由電子與電洞都是屬於導電的載體，但是在材料內的移動速度，下列敘述何者正確？
自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢 自由電子的移動速度比電洞的移動速度快
自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣 這是假設性題目，真實世界中沒有電洞存在，所以無法判斷
【3】44.已知由矽為主要材料的 NPN 電晶體，其 BE 接面與 BC 接面的障壁電壓分別為 VBE = 0.7 V、VBC = 0.5 V；則當測
量到各接腳的電壓分別為（射極 2.4 V）、（基極 3.4 V）、（集極 2.7 V）則該電晶體處於何種工作模式？
截止區模式 線性放大模式 飽和模式 主動區域模式
【2】45.電晶體材料中負責導電的電荷載體主要為何？
P 型電晶體材料中，電子為多數載體；電洞為少數載體
N 型電晶體材料中，電子為多數載體；電洞為少數載體
P 型電晶體材料中，只有電洞為多數載體；沒有電子
N 型電晶體材料中，只有電子為載體；沒有電洞
【1】46.典型的 CMOS 電晶體結構，主要是由何種型態的電晶體所構成？
一個 PMOS 和一個 NMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起
兩個 PMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起
兩個 NMOS 所構成；其柵極(Gate)接在一起
事實上，CMOS 是達靈頓電路的另一種名稱
【4】47.如【圖 47】所示，由電阻、二極體及電壓源所構成的電路中，Vm = 9 V，V1 = 3 V，V2 = 5 V，則有關輸出電壓的
敘述，下列何者正確？
輸出電壓正半週的最大值為 +3 V；負半週最大值為 +5 V
輸出電壓正半週的最大值為 -3 V；負半週最大值為 +5 V
輸出電壓正半週的最大值為 -5 V；負半週最大值為 +3 V
輸出電壓正半週的最大值為 +3 V；負半週最大值為 -5 V
【4】48.如【圖 48】所示為電子電路中用來消除傳導電磁干擾的電路結構，圖中 A、B、C、D四個元件的性質為何？
A 與B是電容器；C與D是電感器 A 與C是電容器；B與D是電感器
A 與C是電感器；B與D是電容器 A 與B是電感器；C與D是電容器
【4】49.如【圖 49】所示的電晶體電路中，流進電晶體集極的電流 IC為何？
0.1 mA 0.5 mA 2.5 mA 5.0 mA
【4】50.如【圖 50】所示，由理想運算放大器 OPA 所組成的電路中，假若輸入電壓 vi(t) = 10sin(ωt) mV，則輸出電壓 vo為何？
100sin(ωt) mV -100sin(ωt) mV -50sin(ωt) mV 50sin(ωt) mV
【圖 27】
【圖 30】
【圖 31】
(a)
(b)
【圖 37】
【圖 38】
【圖 40】
【圖 41】
【圖 42】
【圖 47】
【圖 48】
【圖 49】
【圖 50】