加載中. ..
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【圖 4】
【圖 7】
【圖 12】
【圖 16】
L
R
1
N
2
N
i
R
一次
側
二次
側
【圖 23】
R
1
V
2
V
1
D
2
D
o
V
I
【
圖
2
7
】
【圖 13】
m
V
π
0
t
( )
v t
2
π
π
−
2
π
−
【圖 21】
臺灣菸酒股份有限公司 104 年從業職員及從業評價職位人員甄試試題
甄試類別
甄試類別甄試類別
甄試類別【
【【
【代碼
代碼代碼
代碼】：
】：】：
】：從業
從業從業
從業評價
評價評價
評價職
職職
職位人
位人位人
位人員
員員
員／
／／
／電子電機
電子電機電子電機
電子電機【
【【
【H6730】
】】
】
專業科目
專業科目專業科目
專業科目 1：
：：
：電子學
電子學電子學
電子學
＊
＊＊
＊請填寫入場通知書編號：_____________
注意：作答前須檢查答案卡、入場通知書號碼、桌角號碼、應試類別是否相符，如有不同應立即請監試
人員處理，否則不予計分。
本試卷一張雙面共 50 題，每題 2分，限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答，請選出最適當答案，答
錯不倒扣；未作答者，不予計分。
請勿於答案卡
請勿於答案卡請勿於答案卡
請勿於答案卡書寫應考人姓名
書寫應考人姓名書寫應考人姓名
書寫應考人姓名、
、、
、入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號
入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號
入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號。
。。
。
本項測驗僅得使用簡易型電子計算器(不具任何財務函數、工程函數功能、儲存程式功能)，但不
得發出聲響；若應考人於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用，經勸阻無效，仍執
意使用者，該節扣 10 分；該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。
。。
。
答案卡務必繳回
答案卡務必繳回答案卡務必繳回
答案卡務必繳回，
，，
，違反者該節成績以零分計算
違反者該節成績以零分計算違反者該節成績以零分計算
違反者該節成績以零分計算。
。。
。
【4】1.有一電容器之電容量為 100µF，請問 µ是代表？
10
3
10
-3
10
6
10
-6
【3】2.一信號週期為 100µs，工作週期 25%，請問其頻率為多少？
100Hz 10
-4
Hz 10kHz 2.5kHz
【2】3.下列敘述何者正確？
二極體 PN 接合面之障壁電位，P側為正，N側為負
P 型半導體材料，其整體電性為電中性(不帶電)
N 型半導體的少數載子為電子
半導體材料之電阻，隨溫度升高而變大
【3】4.如【圖 4】所示，稽納二極體的 V
Z
＝5V，則 I
Z
為多少？
0mA 0.5mA
0.75mA 1.25mA
【1】5.下列哪一項不是二極體在電路上的功用？
放大 整流 截波 檢波
【2】6.橋式整流電路，其輸出電壓 V
rms
＝10V，則二極體的 PIV 值為多少？
10V 14.14V 20V 28.28V
【2】7.如【圖 7】所示電路， v
in
=10sin(ωt+60°) V，則輸出電壓值為：
10V 20V 30V 40V
【4】8.下列關於一般雙極性接面電晶體之敘述，何者正確？
電晶體 E、B、C極中，B的摻雜濃度最高
電晶體 E、B、C極中，E的寬度最大
電晶體操作在飽和區時，βI
B
=I
C
NPN 電晶體導通時，主要載子為電子，次要載子為電洞
【4】9.某電晶體工作於主動區，其 β = 100，當 I
B
= 100µA時，I
E
=多少？
1mA 1.01mA 10mA 10.1mA
【1】10.雙極性電晶體(BJT)是屬於何者控制的元件？
電流 電場 磁場 溫度
【1】11.下列電晶體放大電路接法中，哪一種組態之電壓增益不高，但適於作阻抗匹配之用？
共集極組態 共射極組態
共基極組態 達靈頓組態
【4】12.如【圖 12】之電路，電容器的作用為何？
保護二極體 消除反電勢，保護電晶體
保護繼電器 加速電晶體的 ON/OFF 時間
【1】13.如【圖 13】所示，矽電晶體電路，則 I
B
值為多少？
45.2µA 60.2µA
158µA 203µA
【4】14.若將共射極放大器的射極旁路電容移除，則放大器會有何影響？
輸出阻抗下降 工作點位置移動
輸入阻抗下降 電壓增益下降
【4】15.已知一放大器輸入阻抗 Ri=10kΩ，輸出阻抗 Ro=2kΩ，電壓增益 Av=100，則功率增益 Ap 為多少？
20 500 2000 5×10
4
【3】16.如【圖 16】所示，電壓增益分別為 25dB、30dB、5dB 的三個放大器串接，若 V
i
=1mV，輸出電壓 V
o
為多少？
60mV 375mV
1V 2V
【1】17.某多級串接放大電路的輸入電壓為 10V，輸出電壓為 100V，輸入阻抗為 1kΩ，負載為 100Ω，求功率增益為
多少分貝？
30dB 40dB 60dB 80dB
【1】18.下列何者是直接耦合串級放大器(與其它串級放大器比較)的優點？
直流也可放大，低頻響應最佳 電路偏壓容易設計
直流功率損耗低 阻抗匹配良好
【3】19.有關 FET 特性之敘述，下列何者錯誤？
熱穩定性高、雜訊小 單載子元件 輸入電阻很小 電場控制元件
【2】20. N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 V
GS(t)
= 2V，K = 0.3mA /V
2
，當 MOSFET 導通且 V
GS
= 5V 時，I
D
為多
少？
0.9 mA 2.7mA 7.5mA 14.7mA
【4】21.某電壓波形如【圖 21】所示，若
10V
m
V
=
，則該電壓的有效值為何？
3.18V 5V
6.36V 7.07V
【2】22.
1 2
100sin(377 ) 100cos(377 ) A
i i i t t
= + = +
，則
i
的有效值為何？
70.7A 100A
141.4A 282.8A
【4】23.【圖 23】所示變壓器匝數比
1 2
: 10:1
N N
=
，若二次側接於
8
Ω
負載(
8
L
R
= Ω
)，則由一次側看入的電阻
i
R
=
？
0.8Ω 8Ω
80Ω 800Ω
【4】24.一個電子伏特(eV)等於：
1.6×10
-19
伏特 1.6×10
-19
耳格
1.6×10
-19
庫侖 1.6×10
-19
焦耳
【3】25.關於半導體與金屬的電阻溫度係數，下列敘述何者正確？
半導體與金屬皆為負 半導體與金屬皆為正
半導體為負，金屬為正 半導體為正，金屬為負
【4】26. LED 發光的顏色與下列何者有關？
與封裝(外殼材料)有關 與外加電壓頻率有關
與通過電流頻率有關 與二極體之材料有關
【3】27.【圖 27】電路 之
1
10V
V=，
2
5V
V=，
1k
R
= Ω
，二極體之順向電壓降為 0.7V，
則電流
I
=
？
0mA 4.3mA 9.3mA 13.6mA
【請接續背面】
1
D
2
D
I
1
R
E
2
R
【圖 28】
E
L
I
R
z
I
o
V
+
−
L
R
z
V
【圖 30】
【圖 32】
【圖 38】
【圖 39】
【圖 43】
【圖 48】
【圖 45】
【圖 47-2】
【圖 47-1】
【2】28.若【圖 28】電 路
20V
E
=
，
1
1k
R
= Ω
，
2
10k
R
= Ω
，二極 體
1
D
與
2
D
之順向電壓降為 0.7V，則電流
I
為
多少 ？
0.7mA 1.16mA
1.43mA 1.86mA
【1】29.將雙載子接面電晶體(BJT)之基、射極接面接順向偏壓，
基、集極接面接逆向偏壓，則電晶體將在何種模式工作？
作用區(Active region) 截止區(Cut-off region)
反向作用區(Inverse active region) 飽和區(Saturation region)
【1】30.若【圖 30】電路
10V
E
=
，
1k
L
R
= Ω
，
5V=V
z
，
mA45≤I≤mA0.5
z
，欲保持穩壓工作的特性，則電 阻
R
的範圍為：
0.1k 0.9k
R
Ω≤ ≤ Ω
0.1k 10k
R
Ω≤ ≤ Ω
1k 9k
R
Ω ≤ ≤ Ω
1k 10k
R
Ω≤ ≤ Ω
【2】31.已知在某電路中電晶體之
99
β
=
，
2mA
E
I
=
，
10 A
CO
I
µ
=
，則其
C
I
=
？
0.99mA 1.99mA 2.01mA 198mA
【3】32.若【圖 32】電路中電晶體之
100
β
=
，
0V
BE
V
=
、
12V
CC
V
=
，電阻器
1k
C
R
= Ω
、
240k
B
R
= Ω
，試 求
Q
CE
V
？
0.3V 1V
7V 9.6V
【4】33.放大器電路中的電晶體射極與集極同為
( )
N P
型材料，若對調使用有何影響？
沒有影響 增益會變小但交換速度變快
增益會變大但交換速度變慢 增益會變小且交換速度變慢
【1】34.在電晶體的基極電流
B
I不變
時
，
BE
CE
V
V
∆
∆
代表共射極放大電路中的哪個參數？
re
h
fe
h
ie
h
oe
h
【4】35.波峰因數定義為：
最大值與平均值之比 平均值與有效值之比 有效值與平均值之比 最大值與有效值之比
【4】36.下列敘述何者不是共集組態放大電路之特性？
具有很高的輸入阻抗 具有極低的輸出阻抗
具有很大的電流增益 具有很大的電壓增益
【2】37.若雙載子接面電晶體(BJT)之α值為 0.99，則其 β值應為多少？
85 99 88 90
【3】38.試計算【圖 38】電流鏡電路之電流
I
為多少？
0mA 6mA
11.3mA 12.7mA
【1】39.若【圖 39】電路中之
18V
EE
V
=
，
5.1V
z
V
=
，
0.7V
BE
V
=
，
1
1k
R
= Ω
，
2.2k
E
R
= Ω
，則電 流
I
為多少？
2mA 4.4mA
5.4mA 12.9mA
【2】40.僅對輸入信號具有半波導通特性的功率放大器為何？
A 類放大器 B 類放大器
AB 類放大器 C 類放大器
【1】41.對RC 耦合(Couple)放大器而言，產生低頻增益衰減的原因為何？
由耦合電容
C
C
與旁路電容
( )
E S
C C
所造成
由寄生電容(Parasitic capacitances) 所造成
由高的輸入阻抗所造成
由集(洩)極電阻所造成
【3】42.電晶體電路在分析中頻小信號特性時，下列敘述何者錯誤？
將旁路電容視為短路 將交連電容視為短路
將寄生電容視為短路 將直流電壓源視為短路
【2】43.若【圖 43】電路的
5
R
= Ω
，
20 F
C
µ
=
，
4
10sin(10 )V
i
v t
=
，試計算其
o
v
=
？
4
5sin10 V
t
4
7.07sin(10 45 )V
o
t−
4
7.07sin(10 45 )V
o
t+
4
10sin(10 45 )V
o
t+
【4】44.接面場效應電晶體(JFET)產生汲極飽和電流(
DSS
I
)的條件為：
0
GS DS P
V V V
< <
，
0
GS DS P
V V V
= <
，
0
GS DS P
V V V
> ≥
，
0
GS DS P
V V V
= ≥，
【2】45.【圖 45】所示為一階低通濾波器電路，若
1
1.6k
Ω
R=
、
2
1k
Ω
R=
、
3
10k
Ω
R=
、
1
0.02 F
C
µ
=
，運算放大器
的特性為理想，試求截止頻率
o
f
為多少？
6.8kHz 5kHz
8.6kHz 31.4kHz
【3】46.某JFET 之汲極飽和電流為 I
DSS
，夾止(Pinch- off)電壓為 V
P
，閘源極偏壓為 V
GS
，則互導
m
g
=
？
1
DSS P
P GS
I
V
V V
−
2
1
DSS P
P GS
IV
V V
−
21
DSS GS
P P
I V
V V
−
2
21
DSS GS
P P
I V
V V
−
【3】47.若【圖 47-1】電路的輸入信號
1mV
i
v
=
測得
10V
o
v
=
，同一信號輸入【圖 47-2】電路測得
10mV
o
v
=
，試計算
該運算放大器之共模拒斥比(CMRR)？
10dB
20dB
60dB
80dB
【2】48.關於【圖 48】電路的敘述，下列何者錯誤？
這是 CMOS 反相器電路
消耗功率與輸入信號電壓成正比
具有極好的溫度穩定性
靜態功率消耗極低
【1】49.關於電壓串連負回授電路，輸入與輸出阻抗的效應，下列何者正確？
輸入阻抗增加，輸出阻抗降低
輸入阻抗增加，輸出阻抗增加
輸入阻抗降低，輸出阻抗增加
輸入阻抗降低，輸出阻抗降低
【4】50.關於負回授電路之敘述，下列何者錯誤？
可降低非線性失真 可增加操作頻寬
可降低雜訊干擾 可提高電路增益