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臺灣菸酒股份有限公司 105 年從業職員及從業評價職位人員甄試試題
職等／甄試類別【代碼】：從業評價職位人員／電子電機 A、B【J6416-J6418】、
電氣【J6436-J6437】
專業科目 1：電子學 ＊請填寫入場通知書編號：_____________
注意：作答前須檢查答案卡，測驗入場通知書號碼、桌角號碼、應試科目是否相符，如有不同應立即請監試人員
處理。使用非本人答案卡作答者，不予計分。
本試卷一張雙面共 50 題，每題 2分，限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答，請選出最適當答案，答錯不倒扣；
未作答者，不予計分。
請勿於答案卡書寫應考人姓名、入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號。
本項測驗僅得使用簡易型電子計算器(不具任何財務函數、工程函數功能、儲存程式功能)，但不得發出聲響；
若應考人於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用，經勸阻無效，仍執意使用者，該節扣 10 分；
該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。
答案卡務必繳回，違反者該節成績以零分計算。
【3】1.一晶片上有 8000 個元件，依積體電路之分類，該晶片應屬哪一類？
小型積體電路 SSI 中型積體電路 MSI 大型積體電路 LSI 超大型積體電路 VLSI
【4】2.有關材料基本性質之敘述，下列何者錯誤？
原子核最外層的電子稱為價電子 自由電子存在於物質的傳導帶中
導體材料的傳導帶與價電帶重疊 溫度越高矽半導體的導電性越差
【3】3.在常溫下，欲將矽晶體共價鍵中的電子釋放出來，所需能量為何？
0.72 eV 0.78 eV 1.12 eV 1.21 eV
【4】4.將本質半導體摻雜微量砷元素後，其半導體材料之類型及電性為何？
P 型半導體、帶正電 P 型半導體、電中性 N 型半導體、帶負電 N 型半導體、電中性
【1】5.有關二極體特性之敘述，下列何者錯誤？
二極體逆向偏壓越大，則逆向飽和電流也越大 二極體內空乏區電場方向是由 N型指向 P型
二極體擴散電流是由載子濃度不均所形成 二極體漂移電流是由電位差所形成
【4】6.如【圖 6】所示之二極體電路 VD = 0.6 V，求 Vo為多少？
2.2 V
2.4 V
2.5 V
3 V
【3】7.如【圖 7】所示之電路，二極體為理想二極體，求 I為多少？
2.5 mA 3.33 mA
4.0 mA 5.83 mA
【4】8.如【圖 8】所示之整流電路，輸入電壓 110 V/60 Hz，電阻兩端輸出漣波電壓有效值約為多少？
3.08 V
3.85 V
4.36 V
5.44 V
【1】9.如【圖 9】所示之穩壓電路，稽納二極體最大工作電流為 15 mA，在電路正常工作的條件下，求輸入電壓的範
圍為多少？
10 V～25 V 10 V～30 V 15 V～25 V 15 V～30 V
【2】10.如【圖 10】所示之濾波電路，求輸出漣波因數約為多少？
1.2% 2.4% 3.6% 4.8%
【4】11.有關電晶體組態的敘述，下列何者錯誤？
共基極(CB)組態的電流增益小於 1 共集極(CC)組態的電壓增益小於 1
共集極(CC)組態的輸出阻抗最低 共射極(CE)組態的輸入信號與輸出信號相位相同
【2】12.電晶體的漏電流 ICBO 與ICEO 的關係為何？
ICBO =
ICEO ICBO =
)1(
ICEO ICBO =
ICEO ICBO =
)1(
ICEO
【1】13.如【圖 13】所示之倍壓電路，輸入電壓 Vs = 10sin(200πt)V，當 t = 4 mS 時，求 Vo兩端輸出電壓為何？
10 V
15 V
17.07 V
20 V
【4】14.如【圖 14】所示之截波電路，已知稽納二極體非理想且崩潰電壓 ZD1 = 6V、ZD2 = 4V，若輸入電壓 Vi = 10sin(ωt)V，
則輸出電壓 Vo上下限為何？
3.3 V ~ −5.3 V 3.3 V ~ −6.7 V 4.7 V ~ −5.3 V 4.7 V ~ −6.7 V
【2】15.如【圖 15】所示之截波電路，稽納二極體為理想，崩潰電壓 ZD1 = 8 V、ZD2 = 5 V，若輸入電壓 Vi = 12sin(ωt)V，
則輸出電壓 Vo上下限為何？
8 V ~ −5 V 7 V ~ −4 V 5 V ~ −8 V 4 V ~ −7 V
【1】16.如【圖 16】之箝位電路，若輸入電壓 Vi為2.5 V 峰值，頻率為 1 KHz 之方波，則輸出電壓 Vo上下限為何？
−2.5 V ~ 2.5 V 0 V ~ 5 V 2.5 V ~ 5 V 2.5 V ~ 7.5 V
【4】17. PNP 型電晶體位於工作區，則電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？
VB > VE > VC VC > VB > VE VE > VC > VB VE > VB > VC
【3】18.在共射極組態下，若電晶體的
=50、
B
I
=20 uA、
CBO
I
=5 uA，在考慮漏電流的情況下，求
C
I
電流為多少？
1005 uA 1250 uA 1255 uA 1275 uA
【2】19.如【圖 19】所示之電晶體電路，求
E
V
電壓約為多少？
2.01 V 2.96 V
3.44 V 4.7 V
【2】20.如【圖 20】所示之電晶體電路，求
C
I
電流約為多少？
1.6 mA 2 mA
2.4 mA 3 mA
【4】21.如【圖 21】所示之電晶體電路，下列敘述何者錯誤？
電路為集極回授式偏壓電路
電路回授形式為電壓並聯負回授
電路透過負回授能提高電路的穩定度
電路透過負回授能提高電路的輸入阻抗
【1】22.如【圖 22】所示之電晶體電路，求電流增益
i
A
約為多少？
60 75 120 150
【2】23.如【圖 23】所示之電晶體電路，已知
E
I
= 1 mA，
求輸入阻抗
i
R
約為多少？
12.5 Ω
16.7 Ω
25 Ω
50 Ω
【1】24.如【圖 24】所示之疊接電路，求電壓增益
v
A
約為多少？
−75 75 −150 150
【3】25.有關達寧頓電路特性的敘述，下列何者錯誤？
高輸入阻抗 低輸出阻抗
高電壓增益 高電流增益
【請接續背面】
【圖 20】
【圖 16】
【圖 15】
【圖 10】
【圖 9】
【圖 7】
【圖 6】
【圖 8】
【圖 14】
【圖 13】
【圖 19】
【圖 21】
【圖 22】
【圖 23】
【圖 24】
【4】26.已知放大器功率增益為 50 dB，若電壓增益為 100 倍，則放大器電流增益為多少分貝(dB)？
30 dB 40 dB 50 dB 60 dB
【3】27.某放大器連接至 600 Ω負載，若在負載兩端量測到 7.75
rms
V
，則放大器輸出功率為多少分貝(dBm)？
0 dBm 10 dBm 20 dBm 30 dBm
【3】28.有兩放大器之頻率響應分別為 10 ~ 10 KHz 與100 ~ 20 KHz，若將兩放大器串接後使用，則串接後放大器的頻
率響應範圍為何？
10 ~ 10 KHz 10 ~ 20 KHz 100 ~ 10 KHz 100 ~ 20 KHz
【4】29.有關放大器之敘述，下列何者錯誤？
A 類放大：工作點位於負載線中央，失真最低，主要用於線性放大
B 類放大：工作點位於截止區，若採推挽式架構，可消除偶次諧波，主要用於功率放大
AB 類放大：工作點略高於截止區，可改善 B類放大交越失真的現象
C 類放大：工作點位於截止區之下，效率最高，主要用於音頻放大
【1】30.某A類放大器工作電壓 20 V、消耗電流 1 A，則該放大器輸出最大交流功率為多少？
5 W 10 W 15.7 W 20 W
【2】31.下列場效電晶體 FET 優於接面電晶體 BJT 之敘述，何者錯誤？
高輸入阻抗 低雜訊高頻寬
熱穩定度佳 無抵補電壓
【1】32.欲使場效電晶體做線性放大時，電晶體需工作在何處？
夾止飽和區 三極體區 截止區 歐姆區
【3】33.如【圖 33】所示之電晶體電路，已知 Vp = −4V、IDSS = 8 mA，求
D
I
電流為多少？
0.5 mA 1 mA 2 mA 4 mA
【4】34.如【圖 34】所示之電晶體電路，已知 VT = 3 V、K = 0.5 mA/V2，求
m
g
為多少？
0.5 mS
1 mS
1.5 mS
2 mS
【3】35.如【圖 35】所示之電晶體電路，求
o
V
為多少？
4 V 4.5 V 5 V 6 V
【1】36.如【圖 36】所示之電晶體電路，求電壓增益
v
A
約為多少？
−1.6 −2.4 −4.8 −8
【2】37.如【圖 37】所示之電晶體電路，求輸出阻抗
o
R
約為多少？
600 Ω 750 Ω 1 KΩ 1.5 KΩ
【4】38.有關理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？
輸入阻抗( Ri )等於無窮大 輸出阻抗( Ro )等於零
開迴路增益( Avo )等於無窮大 共模拒斥比( CMRR )等於零
【3】39.下列條件何者符合巴克豪生準則？
305A
、
305.0
3010 A
、
601.0
6010A
、
1201.0
6020A
、
602.0
【3】40.如【圖 40】所示之振盪電路，求輸出週期 To約為多少？
21 mS 28 mS 35 mS 42 mS
【4】41.如【圖 41】所示之 OPA 電路，已知 Vs = 2 V，求輸出電壓 Vo為多少？
V
V
V
V
【1】42.如【圖 42】所示之運算放大器電路，為何種形式之負回授？
電壓串聯負回授 電壓並聯負回授 電流串聯負回授 電流並聯負回授
【2】43.如【圖 43】所示之運算放大器電路，已知 V1 = 3 V、V2 = −2 V，求輸出電壓 Vo為多少？
4 V 6 V 8 V 10 V
【4】44.如【圖 44】所示之運算放大器電路，求電壓增益 Vo / Vi 為多少？
−5
−7
−10
−13
【2】45.如【圖 45】所示之 OPA 電路，求輸出電壓 Vo為多少？
2 V 3.5 V 4 V 5 V
【4】46.如【圖 46】所示之 OPA 電路，求電壓增益 Vo / Vs為多少？
3 4 6 7
【3】47.如【圖 47】所示之運算放大器電路，若運算放大器的飽和電壓為±12 V，求上臨界電壓 VUT 及下臨界電壓 VLT？
VUT = 2.4 V、VLT = −2.4 V VUT = 3 V、VLT = −1.8 V
VUT = 4 V、VLT = −0.8 V VUT = 4.4 V、VLT = −0.4 V
【4】48.如【圖 48】所示之 RC 相移振盪電路，求振盪頻率 fo為何？
RC
f32
1
0
RC
f62
1
0
RC
f
23
0
RC
f
26
0
【1】49.如【圖 49】所示之韋恩振盪電路，下列敘述何者錯誤？
回授量
2
1
2
1
1
1
C
C
R
R
電壓增益
43
4RR R
A
振盪頻率
2121
02
1
CCRR
f
振盪電路輸出為弦波形式
【1】50.如【圖 50】所示之振盪電路，為何種形式振盪器？
哈特萊振盪器
考畢子振盪器
韋恩振盪器
無穩態多諧振盪器
【圖40】
【圖49】
【圖48】
【圖44】
【圖43】
【圖42】
【圖 37】
【圖 36】
【圖 35】
【圖 34】
【圖 33】
【圖41】
【圖45】
【圖46】
【圖50】
【圖 47】