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104年公務人員高等考試一級暨二級考試試題
代號：22050
等 別： 高考二級
類 科： 輻射安全
科 目： 輻射度量
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
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一、一個組織等效壁的游離腔操作在標準溫度與壓力下（空氣密度為 0.001293 g/cm3），
其有效氣腔體積為 2 cm3、電容為 5 pF，照射 Co-60 之前的電壓為 200 V、照射後電
壓為 160 V，游離腔壁的相對質量阻擋本領（relative mass stopping power, Sm/Sair）
如下表，請計算若將一軟組織置放於上述氣腔的位置與照射條件下，軟組織的吸收
劑量為多少（mGy）？（20 分）
Energy (MeV) Air Graphite Soft tissue
0.300 1.000 1.030
0.600 1.000 1.020 1.150
1.250 1.000 1.010 1.130
二、請說明氣泡偵檢器（Bubble detector）的原理與特性，並舉一實例說明氣泡偵檢器的
應用。（20 分）
三、在輻射偵檢器的操作模式中，請描述適合使用脈衝模式（pulse mode）的時機與實
例。此時偵檢器必須包含 RC 電路，請描述當 RC 常數（RC time constant）遠小於
電荷收集時間（charge collection time）與 RC 常數遠大於電荷收集時間的兩種狀況
之下，對於最大脈衝強度與脈衝持續時間的影響為何？（20 分）
四、在輻射能譜測量術中（spectroscopy），請定義全能譜效率（total efficiency）與光峰
效率（photopeak efficiency），並描述使用光峰效率作為效率指標的兩項優點。
（20 分）
五、請描述在半導體偵檢器中 p-n junction 如何形成？逆向偏壓（reverse bias）如何與半
導體連接？（10 分）
六、在量測重離子時經常會面臨脈高缺陷（pulse-height defect）的問題，請描述兩種脈
高缺陷的成因。（10 分）