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年特種考試地方政府公務人 員及
離 島 地 區 公 務 人 員 考 試 試 題
考 試 別：地方政府公務人員
等 別：三等考試
類 科：電子工程
科 目：半導體工程
考試時間：2小時 座號：
※注意：
禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
3
4420
頁次：
1
－
1
一、請說明在矽晶圓中 N型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中 N型摻雜
物是那些材料？（10 分）
二、在 P型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分）
三、CVD 與PVD 之主要差別為何？（10 分）
四、IC 製程中可以形成圖案之技術有那些？（20 分）
五、請畫出基本的快閃記憶體元件結構圖，它與 NMOS 之間主要的不同是
什麼？（20 分）
六、半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。（20 分）