104年 台灣自來水招考 評價職升任人員 電力工程 電工機械、電子學 試卷

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【圖 2
v =5 /公尺
45
=50l公分
B=0.25( / )伯平方公 ,進入紙
【請接續背面】
台灣自來水公 104年評價職位人員升任分類職位人員甄試試題
甄試類別:電力工程H4602
專業科目 B1.電工機械、2.電子學
※請填寫入場通知書編號:_____________
注意作答前須檢查答案卡入場通知書編號桌角號碼應試類別是否相符如有不同應立即請監試人員處
理,否則不予計分。
本試卷兩張三面共 80 題,每題 1.25 ,限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答,請選出最適當答案,答錯
不倒扣;未作答者,不予計分。
本項測驗僅得使用簡易型電子計算器(不具任何財務函數、工程函數功能、儲存程式功能),但不得發出
聲響若應考人於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用經勸阻無效,仍執意使用者
科扣 10 分;該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還
請勿於答案書寫應考人姓名、入場通知書號碼或與答案無關之任何文字或符號。
答案卡務必繳回,違反者該科成績以零分計算。
【電工機械】
31.在六極電動機中,其電機角為機械角的幾倍?
1 2 3 4
22.【圖 2】所示,長度 50 公分的導線置於 0.25 韋伯/平方公尺的均勻磁場中,若導線以每秒 5公尺向左移
動,則導線之感應電勢與極性為何?(cos30º = 0.866cos45º = 0.707cos60º = 0.5)
感應電勢為 0.44 伏特、導線下方之極性為
感應電勢為 0.44 伏特、導線下方之極性為
感應電勢為 4.4 伏特、導線下方之極性為負
感應電勢為 4.4 伏特、導線下方之極性為正
13.一根長度為 0.25 公尺的導體置於與其垂直之均勻磁場中,已知磁場之磁通密度為 0.5 韋伯/平方公尺,當
導體內的電流為 16 安培時,此導體受力為多少牛頓?
2 牛頓 8 牛頓 32 牛頓 128 牛頓
34.12 極單重波繞直流發電機其電樞繞組總導體數為 288 若每極之磁通量為 0.05 轉速為 200rpm
則發電機之感應電勢為多少伏特?
48 伏特 160 伏特 288 伏特 320 伏特
45.一部直流發電,若將每極之磁通量降低至原來磁通量的 0.8 倍,欲使發電機的感應電勢維持不變,則其
轉速為原來轉速的幾倍?
0.64 0.8 1.0 1.25
26.有關直流發電機的換向器之敘述,下列何者正確?
將電樞繞組的直流感應電勢轉換為交流電壓輸出
將電樞繞組的交流感應電勢轉換為直流電壓輸出
將磁場繞組的直流感應電勢轉換為交流電壓輸出
將磁場繞組的交流感應電勢轉換為直流電壓輸出
47.一部 20kW200V 外激式直流發電機,其電樞繞組的電阻為 0.1Ω,磁場繞組的電阻為 0.5Ω,若忽略電樞
反應及電刷之電壓降,則滿載時電壓調整率為:
2% 3% 4% 5%
28.某串激式發電機之電樞繞組的電阻與串激場繞組的電阻均 0.1,當負載電流 40 安培時,端電壓為 120
伏特,若轉速不變,則負載電流 35 安培時的端電壓為多少?
102 伏特 105 伏特 108 伏特 112 伏特
19.直流電機裝設補償繞組之主要目的為
抵消電樞反應 增加啟動轉矩
增加磁通 降低噪音
210.某直流電動機在磁場未飽和時其轉矩與其負載電流的平方成正比,則此電動機為:
他激式 串激式 分激式 積複激式
411.有一部 200V 激式直流電動機,其電樞電阻為 0.05Ω滿載電流為 250A,欲限制起動電流為 2倍滿載電
流,則電樞繞組應串聯多少歐姆的電阻?
0.05 歐姆 0.10 歐姆 0.20 歐姆 0.35 歐姆
312.下列何者不是直流電動機之轉速控制方法?
改變場磁通 改變電樞電阻
改變磁極數量 改變電動機之端電壓
113.一部 6600/220V 變壓器一次側分接頭置於 6600V 二次側電壓為 209V若欲使二次側電壓為 220V
則一次側分接頭應置於哪個位置?
6270V 6435V 6765V 6930V
314.某理想變壓器之低壓側線圈為 200 若變壓器鐵心的磁通為 0.01sin(100t)韋伯則低壓側電壓有效值為
200 伏特 283 伏特 444 伏特 628 伏特
415.某一 3300V/220V 之單相理想變壓器,若高壓側的額定電流為 12A,則低壓側的額定電流為多少?
60A 120A 160A 180A
116.一部 50kVA2500V/110V 單相變壓器,其短路試驗時高壓側的電壓表、電流表與瓦特表之讀值分別為
100V20A 800W,則參考至高壓側之等效阻抗的大小為:
5 40 125 200
117.承上題,變壓器高壓側的電流為 10A 時之銅損為:
200 W 400 W 600 W 750 W
218.50kVA2200V/220V 的單相變壓器其參考至高壓側之等效阻抗為 2+j10則參考至低壓側之等效阻
抗約為多少?
0.2+j1 0.02+j0.1 20+j100 200+j1000
219.變壓器鐵心採用矽鋼片之主要目的為:
減少磁滯損 減少渦流損 減少銅損 減少諧波
420.某變壓器在滿載、功率因數為 0.8 後時的銅損為 300W、效率為 95%;若電壓維持不變,則滿載、功率
因數為 0.8 超前時的銅損與效率為何?
銅損大於 300W、效率小於 95% 銅損小於 300W、效率大於 95%
銅損小於 300W、效率小於 95% 銅損為 300W、效率為 95%
321.兩部 200kVA 的單相變壓器作 V-V 連接,其輸出容量約為(註:
3
=1.732)
300 kVA 325 kVA 346 kVA 400 kVA
222.某三相變壓器組是由三部單相變壓器所組成,其高壓側為 Y接、額定線電壓為 22.8kV,低壓側為 Δ接、
額定線電壓為 220V,則單相變壓器之匝數比約為多少?
30 60 103 180
123.額定電壓相同的甲、乙兩部變壓器作並聯運轉,甲變壓器之容量為 50kVA、阻抗百分比為 5%乙變壓器
之容量為 30kVA、阻抗百分比為 6%,當總負載為 30kVA,則乙變壓器分擔的負載為多少?
10 kVA 12 kVA 18 kVA 20 kVA
324.某三相同步發電機在發電電壓頻率 60Hz 時的轉速為 1200rpm,此發電機之極數為:
2 4
6 8
225.某三相、220VY接同步發電機其開路特性試驗之數據為線電壓 220V 時的場電流為 1.1A短路特性
試驗之數據為:電樞電流 13.5A 時的場電流為 1.1A。則發電機每相的同步阻抗為:
8.7 9.4 16.3 2200
326.有一台 6極、380V60HzY接同步發電機,其每相同步電抗為 5,若電樞電阻忽略不計,則每相感應
電動勢為 280V 時的最大功率輸出為:
12.3 kW 13.2 kW 36.9 kW 39.6 kW
【圖 45
【圖 46
【圖 47
【圖 50
【圖 53
【圖 55
【請接續下頁】
427.某同步發電機滿載時之端電壓為 2000V、電壓調整率為 5%則無載時之端電壓為何?
2250 V 2200 V 2150 V 2100 V
428.下列何者為同步發電機並聯的條件
阻抗相等 轉速相等 容量相等 電壓大小相等
129.某同步發電機之飽和同步阻抗為 1.5 標么(pu),則其短路比(short-circuit ratio)SCR 為:
0.67 0.44 1.50 2.25
230.某三相 4極、220V60HzY接同步電動機其同步電抗為 10Ω若忽略電樞電阻則每相反電勢為 100V
功率角為 30時之輸出功率為多少?
635 W 1905 W 2205 W 2540 W
431.同步電動機一般採用下列何種方式來避免運轉時發生追逐現象?
電樞繞組串聯阻尼繞組 電樞繞組串聯補償繞組
主磁極之表面裝設補償繞組 主磁極之表面裝設阻尼繞組
132.下列有關同步電動機之敘述,何者正確?
欠激時電樞電流滯後端電壓 過激時電樞反應為交磁效應
V 形曲線為端電壓與電樞電流的關係 V 形曲線中各曲線最低點時電動機之功率因數為最小
333.某用戶之負載為 120kW、功率因數為 0.6 滯後,若增設 40kVAR 同步調相機則用戶的功率因數為多少?
0.5 0.6 0.707 0.866
334.某三相感應電動機在輸出功率為 9kW 時轉子銅損為 375 W,則其轉差率為多少?
0.02 0.03 0.04 0.05
435.一部 220V60Hz10HP、三相、四極感應電動機,已知滿載時之轉差率為 5.5%,則滿載轉速為何?
396 rpm 936 rpm 1659 rpm 1701 rpm
236.承上題,電動機滿載時的輸出轉矩約為多少?
14.8 牛頓- 41.9 牛頓- 72.8 牛頓- 84.1 牛頓-
237.關於感應電動機的起動轉矩之敘述,下列何者正確?
起動轉矩與電壓成正比 起動轉矩與電壓之平方成正比
起動轉矩與定子電阻成正比 起動轉矩與定子電阻之平方成正比
338.一部 60Hz六極三相繞線式感應電動機轉子每相電阻為 滿載時轉速為 1140rpm欲使轉速為 960rpm
時的轉矩等於滿載轉矩,其轉子外部每相應串接多少歐姆之電阻?
2 歐姆 4 歐姆 6 歐姆 8 歐姆
339.一部 50Hz兩極三相感應電動機在負載為 15kW 時轉速為 2950rpm,若轉矩提升至原來轉矩的 2倍,
則電動機的轉速約為:
1475rpm 1500rpm 2900rpm 2975rpm
140.關於單相分相式感應電動機之敘述,下列何者正確?
離心開關與起動繞組串聯 電動機之電源線對調即可反轉
起動後須將運轉繞組切離電源 起動繞組與運轉繞組在空間上相距 180°電工角
【電子學】
341.本質半導體(intrinsic semiconductor)中的電子與電洞之數量有何關係?
電子遠多於電洞 電洞遠多於電子
電子與電洞相等 不一定
442.以下敘述何者錯誤?
n 型半導體可提供額外電子 施體雜質又稱 n型雜質
受體可提供額外電洞 p 型半導體中的多數載子是電子
443.以下敘述何者錯誤?
稽納二極體(zener diode)可用於整流 稽納二極體(zener diode)主要是操作於崩潰區
稽納二極體(zener diode)可用於穩壓 稽納二極體(zener diode)用於穩壓時需操作在順向偏壓下
144.【圖 44】所示電路,若稽納二極體的崩潰電壓 VZ=6V其電流限制在 5mA,則電阻 R應該選用以下何
值?
0.8 k 4 k 6 k 8 k
245.【圖 45所示電路,若 Vs=4sint VVB=2V,二極體可視為理想元件,則輸出電 Vo之最低值為何?
1 V
2 V
3 V
4 V
246.【圖 46所示電路,若 Vs=4sint VVB=2V,二極體可視為理想元件,則輸出電 Vo之最高值為何?
1 V 2 V 3 V 4 V
147.如【圖 47】所示電路,若 V1V2為輸入(0V 5V),則此電路之功能相當於何種邏輯電路?
OR NOR
AND NAND
248.若將 BJT 作為信號放大元件,則 BJT 應操作於何種模式?
逆向主動區(reverse-active mode) 順向主動區(forward-active mode)
截止區 飽和區
249.承第 48 題,下列敘述有關 BJT 各接面之偏壓,何者正確?
B-E 接面為順向偏壓,B-C 接面為順向偏 B-E 接面為順向偏壓,B-C 接面為逆向偏壓
B-E 接面為逆向偏壓,B-C 接面為順向偏 B-E 接面為逆向偏壓,B-C 接面為逆向偏壓
350.如【圖 50】所示電路,若 VBE(on)=0.5V=99,則 IB約為何值?
10 mA
1 mA
0.1 mA
0.01 mA
451.承第 50 題,則 IC約為何值?
0.9 mA
1.9 mA
5.9 mA
9.9 mA
452.承第 50 題,則 VCE 約為何值?
1.04 V 2.04 V 3.04 V 4.04 V
353.如【圖 53】所示電路,則此放大器之差值增益(differential gain)約為何值?
10 20 30 40
254.承第 53 題,則此電路之輸入電阻 Ri約為何值?
13 k 26 k 403 k 806 k
155.如【圖 55】所示電路,若 VBE(on)=0.5V=100VA=IO=200A,則 IO/IREF
為何值?
0.98 1.98 2.98 3.98
【圖 59
【圖 60
【圖 66
E
C
B
+
5 V
10 V
I
B
R
B
V
C
E
R
C
I
C
I
E
【圖 67
V
C
C
V
E
E
Q
1
Q
2
I
C
1
I
C
2
I
Q
【圖 71
A
B
Y
V
D
D
456.承第 55 題,則此電路之 IREF 約為何值?
50 A 67 A
101 A 204 A
157.承第 55 題,則此電路之 R約為何值
24.5 k
49.5 k
74.5 k
100 k
358.若有一差動放大器之共模增益(common-mode gain)=-0.1,差模增益(differential-mode gain)=100,則其共模
拒斥比(common-mode rejection ratio)約為何值?
40 dB 50 dB 60 dB 70 dB
159.如【圖 59】所示之史密特觸發器(Schmitt trigger),其上臨界電壓 VTH 約為何值?
1 V 2 V 3 V 4 V
460.如【圖 60】所示電路,應該屬於以下何種回授放大器(feedback amplifier)之架構?
串串(series-series) 串並(series-shunt) 並串(shunt-series) 並並(shunt-shunt)
361.在矽(Si)中摻入磷(P),以下敘述何者錯誤?
此半導體為 n 電子濃度高於電洞濃度
本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)增加 與在矽(Si)中摻入砷(As)的效果類似
462.一電壓放大器的輸入電壓為 10 V、輸出電壓為 1 V,則其電壓增益為:
20 dB 10 dB 0.1 dB 20 dB
163.以下何者為一般 pn 接面可能的逆偏飽和電流值?
1015 A 103 A 1 A 103 A
264.npn BJT 在順向主動模式(forward active mode)下操作時,以下敘述何者錯誤?
基極-射極(base-emitter, B-E)接面為順向偏壓
基極-集極(base-collector, B-C)接面為順向偏壓
基極少數載子(minority carrier)濃度在 B-E 面最
電子及電洞會在基極內產生復合(recombination)
365.有一 npn BJT 偏壓於順向作用區內,若其共基極電流增益(common-base current gain) α0.99,且基極
電流 IB100 A,則射極電流 IE值為:
99 A 100 A 10 mA 11 mA
266.如【圖 66】所示之 BJT 偏壓電路,假設 VBE = 0.7 Vβ = 100RB = 215 kRC = 4 k,則 VCE 為:
0.7 V
2 V
5 V
10 V
367.如【圖 67】所示之電流源偏壓電路,假設 β1 = 99β2 = 98IQ = 5 mA,則 IC2 為:
5.1 mA 5 mA
4.9 mA 4.8 mA
468.n型通道 JFET,其夾止電壓(pinch-off voltage) VP = 4伏特,VGS = 2伏特,則進入飽和區的最小 VDS
值:
6 V 4 V 2 V 2 V
469.以下有關空乏型(depletion mode) NMOS 的特性敘述,何者錯誤?
在沒有任何偏壓時,汲極與源極之間已存在一個通道
VGS 小於 0 V 時,只要通道仍存在,汲極與源極之間仍可導通
VGS 小於夾止電壓(pinch-off voltage) VT時,通道消失汲極電流等於 0
VT為正值
170.有關 MOSFET 特性的溫度效應,下列敘述何者正確?
溫度上升時,汲極電流下降
溫度上升時,導通參數(conduction parameter) k 上升
溫度上升時,臨限電壓 Vth 上升
溫度改變時,VGS 也會改變
171.如【圖 71】所示之 NMOS 邏輯電路,請問以下何種輸入組合的輸出為高準位?
A = 0 VB = 0 V A = 0 VB = 5 V
A = 5 VB = 0 V A = 5 VB = 5 V
372.一操作於飽和區之 NMOS,其 Vth = 2 V,在 VGS = 4 V 時的 ID1 mA,則應用於放大器電路之跨導
(transconductance)值:
0.25 mA/V 0.5 mA/V 1 mA/V 2 mA/V
473.一共汲極(common-drain)放大器的源極電阻為 0.9 k時的等效輸出電阻為 90 則當源極電阻改為 0.7 k
時的等效輸出電阻值:
274.有關共閘極(common-gate)放大器的特性,以下敘述何者錯誤
電壓增益大於 1 電流增益大於 1
低輸入電阻 輸出電壓與輸入電壓同相
375.已知一電晶體的截止頻率(cutoff frequency)300 MHzβ = 100則其短路電流增益(short-circuit current gain)
的頻寬:
300 MHz 10 MHz 3 MHz 100 Hz
276.一散熱片的熱阻(thermal resistance)5 ºC/W,若環境溫度為 25 ºC,則此散熱片在 10 W 功率消耗下的溫
差:
25 ºC 50 ºC 75 ºC 100 ºC
377.A類功率放大器的負載交流電壓振幅為 5 V負載電阻 5 k,若 10V 電源供應的平均電流為 1.25 mA
則其效率為何?
50% 25% 20% 15%
478.利用運算放大器實現一階 RC 積分器時,若輸入電壓為一步階函數(step function)則輸出電壓將為:
0
一直流值
弦波
一斜坡(ramp)函數,經過一段時間後為正負飽和電壓
179.一差分放大器的差模(differential-mode)輸入電壓與共模(common-mode)輸入電壓均為 20 V,則此差分放
大器的兩組輸入電壓為:
30 V10 V 20 V20 V
20 V0 V 10 V10 V
180.一轉換函數在頻率為 1000 Hz 時的相位為190º,則在此頻率之相位邊限(phase margin)
10º 10º 100º 100º
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