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中華電信股份有限公司
中華電信股份有限公司中華電信股份有限公司
中華電信股份有限公司 96 年新進從業人員遴選試題
年新進從業人員遴選試題年新進從業人員遴選試題
年新進從業人員遴選試題
類別
類別類別
類別：
：：
：工務類專業職
工務類專業職工務類專業職
工務類專業職(四
四四
四)第二類專員
第二類專員第二類專員
第二類專員
科目
科目科目
科目：
：：
：電子學概要
電子學概要電子學概要
電子學概要
*請填寫入場通知書號碼：_______________
注意：作答前須檢查試卷與答案卡所標示之卷別
作答前須檢查試卷與答案卡所標示之卷別作答前須檢查試卷與答案卡所標示之卷別
作答前須檢查試卷與答案卡所標示之卷別(分
分分
分A、
、、
、B卷
卷卷
卷)是否一致
是否一致是否一致
是否一致，
，，
，以及入場通知書號碼
以及入場通知書號碼以及入場通知書號碼
以及入場通知書號碼、
、、
、桌角
桌角桌角
桌角
號碼
號碼號碼
號碼、
、、
、應試類組是否相符
應試類組是否相符應試類組是否相符
應試類組是否相符。
。。
。
本試卷正反兩頁共 50 題，每題 2 分，限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答。
本試卷之試題皆為單選選擇題，請選出最適當答案，答錯不倒扣；未作答者，不予計分。
答案卡務必繳回
答案卡務必繳回答案卡務必繳回
答案卡務必繳回，
，，
，未繳回者該科以零分計算
未繳回者該科以零分計算未繳回者該科以零分計算
未繳回者該科以零分計算。
。。
。
1.在【圖一】的 MOSFET 電路中，若 V
DD
=15 伏，-V
SS
=-15 伏，
V
GS
=3 伏，I
D
=2 毫安，R
D
=4K歐，則 R
G
=4M歐上的電流為若干微安？
0
20
25
40
2.承上題，R
S
應為若干歐？
5K 6K 10K 22K
3.承上題，V
D
之値為若干伏？
9 7 5 4
4.在增強型(enhancement type)MOSFET 中，若汲極源極電壓為 v
DS
，閘極源極電壓為 v
GS
，閘極有效電壓
(effective voltage)為V
OV
，則汲極(drain)電流 i
D
在下列何種情況下將達到飽和？
v
GS
大於 V
OV
v
GS
小於 V
OV
v
DS
大於 V
OV
v
DS
小於 V
OV
5.在一單一時間常數(time constant)的線性放大器中，若 τ為時間常數，ω
0
為3dB 頻率，則下列何者正確？
ω
0
=τ ω
0
=3τ
0
1
ω
τ
=
0
3
ω
τ
=
6.在【圖二】的理想運算放大器(Op Amp)電路中，v
o
=？
1+v
1
+v
2
1 2
1 9
2 3
( )
v v
+ +
1 2
2 9
2 3
( )
v v
+ +
6v
1
+4v
2
7.在【圖三】的電路中，V
DD
為5伏，Q
P
與Q
N
分別代表
PMOS 與NMOS 電晶體。若輸入為 A與B，輸出為 Y，則此
電路所執行之運算為下列何者？
AND
OR
NAND
NOR
8.在數位 IC(digital integrated circuit)中，下列何者正確？
工作頻率越高，功率消耗越大
雜散電容有助於各級間之耦合
切換時間(transition time)越短，功率消耗越大
雜訊免疫力與工作頻率無關
9.有關 TTL 數位 IC 與CMOS 數位 IC 比較，下列何者正確？
TTL 的雜訊免疫力較大 TTL 的密度較高
CMOS 的扇入(fan-in)數較多 CMOS 的靜止電流(quiescent current)較大
10.加一負向電壓於 NMOS 電晶體之 body 端，則：
門檻電壓(threshold voltage)下降
通道之等效電阻上升
通道載子濃度上升
通道下方之空乏區(depletion region)減少
11.下列何者不是理想放大器之特性？
電壓放大器之輸入阻抗=∞ 電壓放大器之輸出阻抗=0
電流放大器之輸入阻抗=0 電流放大器之輸出阻抗=0
12.對於一電容之敘述，下列何者錯誤？
dt
tdv
Cti )(
)( =
0
)(
1
)( Vdtti
C
tv +=
∫
跨壓改變必須提供電荷交換 只要提供一充放電流則電壓可為不連續變化
13.若一運算放大器之 second pole 與unit-gain frequency 重疊，則其 phase margin 為：
0° 45° 60° 90°
14.運算放大器中使用 Miller 電容之目的，下列敘述何者錯誤？
作為電路之補償(compensation) 使電路之 phase margin 增加
可以避免使用過大的電容 增加電路之頻寬
15.假設 npn BJT 的電流增益β =100，當直流電流為 I
E
= 2 mA 且I
C
= 0.5 mA 時，其操作之模式為：
飽和區(saturation) 主動區(forward active)
反向區(reverse active) 截止區(cut-off)
16.若系統之輸入最大電壓為 10V，要求之解析度小於 0.02V 時，可使用幾位元之類比數位轉換器？
4-bit 6-bit 8-bit 10-bit
17.關於 complementary CMOS logic 之特性，下列何者錯誤？
為一 ratioless 之設計 V
OH
=V
DD
V
OL
=0 V t
PLH
=t
PHL
18.當BJT 電晶體操作於主動區(forward active)時，下列何者錯誤？
電流上升則轉導值(transconductance)上升 電流上升則 r
o
上升
EBJ 為順向偏壓 BCJ 為逆向偏壓
19.關於小訊號分析之敘述，下列何者錯誤？
必須先求得直流偏壓 訊號之振幅不可過大
可視為線性系統 與頻率無關
20.下列何者為 cascode current mirror 之優點？
功率消耗 輸出阻抗 輸出振幅 電路面積
21.有關 CMOS latch 之敘述，下列何者錯誤？
由兩個 CMOS inverter 組成 為一負回授組態
存在兩個穩定之狀態 可作為記憶體使用
22.若v、i、q
、
C分別為電容的電壓、電流、電荷與電容值，則下列何者正確？
1
dv
i
C dt
=
i C vdt
=
∫
v
=
Cq
1
v q
C
=
23.
下列有關楞次定律
(Lenz’s Law)
的敘述，何者正確？
電容上的電流將隨著電容電壓的增加而增加
電容上將因電容電流的增加而產生反向電動勢
電感上的電流將因電感電壓的增加而產生反向電流
電感上將因電感電流的增加而產生反向電動勢
24.
有一弦波其週期為
1
毫秒
(
ms
)
，則其頻率為若干赫
(
Hz
)
？
500
1000
500π
1000
π
【
【【
【B卷
卷卷
卷】
】】
】
【圖一】
【圖二】
【圖三】
【請接續背面】
25.
在【圖四】的二極體電路中，若二極體的順向壓降為
0.7
伏，
則電阻上之電流為若干毫安？
0.3
1.6
2.3
3.9
26.
有關稽納二極體
(Zener diode)
的敘述，下列何者正確？
操作於逆向電壓時不可超過崩潰電壓
(breakdown voltage)
一般皆利用其順向電壓以達到穩壓的目的
等效電路可用理想二極體、逆向電壓源與電阻串聯組成
順向電壓一般可達
1.2
伏
27.
有一小信號電壓放大倍率為
120
倍的共射級
(common emitter)
電晶體放大器其直流電源為
9
伏，工作點
(quiescent point)
定在
V
CE
=4
伏。若基極
(base)
上輸入弦波信號之振幅
(amplitude)
為
50
毫伏，則輸出信號之
峰到峰
(peak-to-peak)
值為若干伏？
-2
到
10
0
到
10
-2
到
9
0
到
9
28.
在【圖五】的
BJT
電路中，
β=100
，
v
BE
=0.7
伏，
R
E
=7.07
K
歐，
R
C
與
R
E
上的電源 V
CC
與V
EE
分別為
+15
伏與
-15
伏。若希望電晶體
集極
(collector)
上的電壓為
+5
伏，則
R
C
應為若干歐？
5
K
3.6
K
2.2
K
1
K
29.
承上題，流經基極
(base)
上的電流為若干毫安？
2
1
0.02
0.01
30.
在【圖五】的
BJT
電路中，倘
β=100
，
v
BE
=0.7
伏，
R
E
=7.07
K
歐，
R
C
與
R
E
上的電源 V
CC
與V
EE
分別為
+15
伏與
0
伏，則電晶體處於：
飽和區
(saturation region)
截止區
(cutoff region)
主動模式
(active mode operation)
小信號放大模式
(small signal operation)
31.
由理想運算放大器所組成之非反向
(non-inverting)
組態放大器，下列敘述何者錯誤？
輸出阻抗為
0
Ω
輸入阻抗為無限大
電壓增益由電阻比值決定
電壓增益可為任意之正實數
32.
若將
slew rate
為
1V/
µ
s
之運算放大器接成一
unit-gain buffer
，輸入振幅
1V
之弦波訊號，在不失真下最高
之輸入頻率為何？
1000000 Hz
10000 Hz
159155 Hz
318310 Hz
33.
對於運算放大器之
slew rate
，下列敘述何者錯誤？
與電路之頻寬成正比
與電容值成反比
受限於電路之直流電流
為大訊號操作下之非理想特性
34.
下列何者為
n-type
異質半導體
(extrinsic semiconductor)
之特性？
電子為唯一之導電載子
(carrier)
穩定狀態下
2
i
nnp >
雜質濃度越高，電洞濃度越低
導電度與溫度無關
35.
關於
pn-junction
的敘述，下列何者錯誤？
內建電壓
(building potential)
隨掺雜濃度提高而增加
操作在順向偏壓下空乏區
(depletion region)
寬度上升
內建電壓主要來自於空乏區的電場
空乏區寬度隨掺雜濃度提高而下降
36.
關於
PMOS
電晶體之敘述，何者錯誤？
source
端的電壓比
drain
端的電壓高
導電載子以電洞為主
載子在通道中的運動模式為擴散
(diffusion)
載子由
source
端流向
drain
端
37.
下列何種電路只消耗動態功率？
pseudo NMOS
邏輯
TTL
邏輯
dynamic
邏輯
ECL
邏輯
38.
有關
CMOS SRAM
之敘述，下列何者正確？
每一位元只使用
4
個電晶體
無靜態功率消耗
儲存之資料不會因為電源關閉而消失
為
ratioless
之電路設計
39.
關於濾波器之敘述，下列何者錯誤？
Butterworth
低通濾波器為單調下降之頻率響應
Chebychev
低通濾波器為單調下降之頻率響應
階數由
transfer function
之分母決定
transfer function
之係數必需為實數
40.
假設一系統之
transfer function
為
2
00
2
1
)/(
ωω
++
=sQs
sa
H
，下列何者錯誤？
為一階系統
頻率響應為帶通
(band-pass)
特性
低頻增益為
0
高頻增益為
0
41.
在
common emitter
放大級之
emitter
端加上
degeneration
電阻，下列何者錯誤？
輸入阻抗上升
輸出阻抗上升
轉導值上升
可視為一負回授
42.
對於頻率響應的敘述，下列何者錯誤？
電容於
dc
可視為開路
電容於極高頻可視為短路
電感於
dc
可視為開路
電感於極高頻可視為開路
43.
關於
741
運算放大器，下列敘述何者錯誤？
輸入級為雙端輸入單端輸出
第二級為單端輸入單端輸出
電壓增益主要由輸出級提供
電路中包括保護電路
44.
關於輸出級之敘述，下列何者錯誤？
class-A
為線性操作放大器
class-B
無靜態功率消耗
class-B
的輸出通常為失真之波形
class-AB
可兼顧效率及線性度
45.
關於
pseudo NMOS logic
之敘述，下列何者錯誤？
pull-up
及
pull-down network
皆使用
NMOS
電晶體
具有靜態功率消耗
負載
(active load)
越大，則
V
OL
上升
V
OH
不受負載之大小影響
46.
下列何者為一濾波器之
transfer function
？
2
3
3
)(
2
+−
=
s
s
sT
2
3
3
)(
2
+−
=
s
s
j
sT
2
3
3
)(
2
++
=
s
s
s
sT
2
3
3
)(
2
3
++
=
s
s
s
sT
47.
請問
Class-A
放大器之最大輸出效率
(efficiency)
為：
20%
25%
33%
50%
48.
在【圖六】的
BJT
電路中，有關基極電阻
R
B
扮演
的角色，下列何者正確？
負回授
基極限流
集極偏壓
利於振盪
49.
承上題，若
V
CC
=10
伏，
V
BE
=0.7
伏，
β=100
，
R
C
=4.7K
歐，
R
B
=47K
歐，則射極電流
I
E
為若干毫安？
2.13
1.98
1.80
1.61
50.
承上題，
V
CE
為若干伏？
0.7
1.54
2.31
3.12
【圖四】
【圖五】
V
CC
V
EE
【圖六】