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臺北捷運公司 111 年4月17 日新進技術員(電子類)
甄試試題-電子學概要
第1頁/共13 頁
請務必填寫姓名： ．
應考編號： ．
Ans.
選擇題：每題 2分，共 50 題，計 100 分
1.
[ ]
【4】
下圖所示的理想運算放大器，開迴路電壓增益為何？
(1)0 (2)−𝑅𝑓
𝑅1 (3) 1 + 𝑅𝑓
𝑅1 (4)∞
Rf
Vo
R1
Vin
2.
[ ]
【1】
下圖所示的理想運算放大器，輸入端電壓差(V+ -V-)為何？
(1)0 (2)−𝑅𝑓
𝑅1 (3) 1 + 𝑅𝑓
𝑅1 (4)∞
Rf
Vo
R1
Vin
V+
V-
3.
[ ]
【4】
下圖所示的理想運算放大器，輸入端電阻 Rin1為何？
(1)0 (2)Rf (3)R1 (4)∞
Rf
Vo
R1
Vin
Rin1
Rin2
Rin3
臺北捷運公司 111 年4月17 日新進技術員(電子類)
甄試試題-電子學概要
第2頁/共13 頁
4.
[ ]
【2】
接續第 3題，輸入端電阻 Rin2為何？
(1)0 (2)Rf (3)R1 (4)∞
5.
[ ]
【3】
接續第 3題，輸入端電阻 Rin3為何？
(1)0 (2)Rf (3)R1 (4)∞
6.
[ ]
【4】
下圖所示的理想運算放大器，輸出端電阻 Rout1 為何？
(1)0 (2)Rf (3)R1 (4)∞
Rf
Vo
R1
Vin
Rout1 Rout2
7.
[ ]
【2】
接續第 6題，輸出端電阻 Rout2 為何？
(1)0 (2)Rf (3)R1+Rf (4)∞
8.
[ ]
【4】
下圖所示的兩級運算放大器，電壓增益為何？
(1) 𝑅2
𝑅1 x𝑅4
𝑅3 (2) −(𝑅2
𝑅1 x𝑅4
𝑅3 ) (3) (1 + 𝑅2
𝑅1 )x𝑅4
𝑅3
(4)−(1 + 𝑅4
𝑅3 )x𝑅2
𝑅1 。
R2
R1
Vin
Vo
R3R4
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甄試試題-電子學概要
第3頁/共13 頁
9.
[ ]
【2】
下圖所示 BJT 偏壓電路，BJT 操作於飽和區條件為何？
(1)VBE 順偏、VBC 逆偏
(2)VBE 順偏、VBC 順偏
(3)VBE 逆偏、VBC 順偏
(4)VBE 逆偏、VBC 逆偏
VCC
RC
C
C
C=∞
RB
10.
[ ]
【1】
接續第 9題，BJT 操作於主動區條件為何？
(1)VBE 順偏、VBC 逆偏
(2)VBE 順偏、VBC 順偏
(3)VBE 逆偏、VBC 順偏
(4)VBE 逆偏、VBC 逆偏
11.
[ ]
【4】
接續第 9題，BJT 操作於截止區條件為何？
(1)VBE 順偏、VBC 逆偏
(2)VBE 順偏、VBC 順偏
(3)VBE 逆偏、VBC 順偏
(4)VBE 逆偏、VBC 逆偏
12.
[ ]
【3】
下圖所示電阻之電阻值為 7.3MΩ±5%，其色碼由左至右為何？
(1)藍紅黃金 (2)藍紅黃銀 (3)紫橙綠金 (4) 紫橙綠銀。
7.3MΩ±5%
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第4頁/共13 頁
13.
[ ]
【2】
下圖所示 BJT 放大器架構為何？
(1)共基極放大器 (2)共射極放大器 (3)共集極放大器
(4)共閘極放大器
VCC
RC
vo
vi
Rin
Rout
RECE
RL
RB
Rsig
vsig
CC
CB=CC=CE=∞
CB
14.
[ ]
【1】
接續第 13 題，正確的電晶體操作區間，下列何者正確?
(1)主動區 (2)反向主動區 (3)三極管區 (4)飽和區。
15.
[ ]
【3】
接續第 13 題，偏壓電阻 Rc 太大，對輸出信號，有何影響?
(1)頻率降低 (2)正半週失真 (3)負半週失真 (4)正負半週皆失真。
16.
[ ]
【2】
接續第 13 題，偏壓電阻 Rc 太小，對輸出信號，有何影響?
(1)頻率變快 (2)正半週失真 (3)負半週失真 (4)正負半週皆失真。
17.
[ ]
【2】
接續第 13 題，有關電阻 RE，可提供電路何種機制?
(1)正回授 (2)負回授 (3)正負回授 (4)負正回授。
18.
[ ]
【4】
接續第 13 題，如有溫度變化，造成射極偏壓電流上升，過一段時間
後，下列何者正確？
(1)集極偏壓電流上升、射極偏壓電流下降
(2)集極偏壓電流下降、射極偏壓電流上升
(3)集極偏壓電流上升、射極偏壓電流上升
(4)集極偏壓電流下降、射極偏壓電流下降
19.
[ ]
【1】
接續第 13 題，電容 CE的主要作用為何？
(1)電晶體射極端，產生小信號地。
(2)降低放大器雜訊
(3)增加放大器增益
(4)直流充電
20.
[ ]
【1】
接續第 13 題，輸入端之小信號電阻 Rin 為何?
(1) RB//{(1+β)re}
(2) RB//{(1+β)(re+RE)}
(3) RB//{re/(1+β)}
(4) RB//{(re+RE)/(1+β)}
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第5頁/共13 頁
21.
[ ]
【4】
接續第 13 題，電晶體轉導 gm，放大器電壓增益(vo/vi)為何?
(1) +(RC//RL)/(re+RE)
(2) -(RC//RL)/(re+RE)
(3) +gm(RC//RL)
(4) -gm(RC//RL)
22.
[ ]
【2】
下圖所示 BJT 放大器，當 CE壞掉，變成斷路，輸入端之小信號電阻
Rin 為何?
(1) RB//{(1+β)re}
(2) RB//{(1+β)(re+RE)}
(3) RB//{re/(1+β)}
(4) RB//{(re+RE)/(1+β)}
VCC
RC
vo
vi
Rin
Rout
RECE
RL
RB
Rsig
vsig
CC
CB=CC=∞
CB
23.
[ ]
【2】
接續第 22 題，電晶體轉導 gm，放大器電壓增益(Av=vo/vi)為何?
(1) +(RC//RL)/(re+RE)
(2) -(RC//RL)/(re+RE)
(3) +gm(RC//RL)
(4) -gm(RC//RL)
24.
[ ]
【3】
比較第 13 題與第 22 題的 BJT 放大器。當 CE壞掉，變成斷路，
輸入端之小信號電阻 Rin 如何變化？
(1)變∞
(2)不變
(3)變大
(4)變小
25.
[ ]
【4】
比較第 13 題與第 22 題的 BJT 放大器。當 CE壞掉，變成斷路，
放大器電壓增益(Av=vo/vi)如何變化？
(1)變∞
(2)不變
(3)變大
(4)變小
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第6頁/共13 頁
26.
[ ]
【1】
下圖所示 BJT 放大器，當 CE與RC皆壞掉，變成斷路。電晶體轉導
gm，放大器電壓增益(Av=vo/vi)的絕對值為何?
(1) 0
(2) ∞
(3) gmRL
(4) RL/(re+RE)
VCC
RC
vo
vi
Rin
Rout
RECE
RL
RB
Rsig
vsig
CC
CB=CC=∞
CB
27.
[ ]
【2】
下圖所示電容，其電容值範圍為何？
(1)4.5F~5.5F (2)4.75F~5.25F (3)4.5pF~5.5pF (4)4.75pF~5.25pF
505
J
1
2
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第7頁/共13 頁
28.
[ ]
【2】
下圖所示 MOS 放大器，電晶體 Q1與Q2之轉導 gm1=gm2=gm，通道
調變電阻 ro1= ro2= ro，使用理想電流源 I偏壓。問此放大器架構為
何？
(1)共源極放大器 (2)共閘極放大器 (3)共汲極放大器
(4)共基極放大器
Q1
VDD
RD
Rout1
Rin2
vo
Rout2RL
I
Q2
VG
vi
C
C
C=∞
Rin1
29.
[ ]
【3】
接續第 28 題，電晶體 Q1與Q2正確操作區域為何？
(1)Q1飽和區，Q2三極管區
(2)Q1三極管區，Q2三極管區
(3)Q1飽和區，Q2飽和區
(4)Q1三極管區，Q2飽和區
30.
[ ]
【1】
接續第 28 題，理想電流源的電阻 Rout1為何？
(1)∞ (2)0 (3)ro (4) I
31.
[ ]
【4】
接續第 28 題，輸入電阻 Rin2為何？
(1)𝑔𝑚 (2) 1
𝑔𝑚 (3) 2
𝑔𝑚 (4) 1
2𝑔𝑚
32.
[ ]
【2】
接續第 28 題，小信號電阻 Rout2為何？
(1)𝑟𝑜//𝑅𝐷 (2) 𝑟𝑜
2//𝑅𝐷 (3)2𝑟𝑜//𝑅𝐷 (4) 2
𝑟𝑜//𝑅𝐷
33.
[ ]
【3】
接續第 28 題，放大器電壓增益(Av=vo/vi)為何？
(1) 1
𝑔𝑚(𝑅𝐷//𝑅𝐿) (2)𝑔𝑚(𝑅𝐷//𝑅𝐿) (3)2𝑔𝑚(𝑅𝐷//𝑅𝐿) (4) 2
𝑔𝑚(𝑅𝐷//𝑅𝐿)
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第8頁/共13 頁
34.
[ ]
【1】
下圖所示 MOS 放大器，當 RL壞掉，變成斷路。放大器電壓增益
如何變化?
(1)變大 (2)變小 (3)不變 (4)變小後變大
Q1
VDD
RD
Rout1
Rin2
vo
Rout2RL
I
Q2
VG
vi
C
C
C=∞
Rin1
Rout3
35.
[ ]
【3】
接續第 34 題，輸出電阻 Rout3如何變化？
(1)不變 (2)變小 (3)變大 (4)變小後變大
36.
[ ]
【4】
下圖所示 MOS 放大器，當電晶體 Q2壞掉，變成斷路。放大器電壓
增益如何變化?
(1)不變 (2)變小後變大 (3)變大 (4)變小
Q1
VDD
RD
Rout1
Rin2
vo
Rout2RL
I
Q2
VG
vi
C
C
C=∞
Rin1
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37.
[ ]
【2】
接續第 36 題，輸入電阻 Rin2如何變化？
(1)變小 (2)變大 (3)變小後變大 (4)不變
38.
[ ]
【3】
下圖所示電路，形式為何？
(1)升壓 (2)降壓 (3)全波整流 (4)半波整流
R
D1
vs
vs
D2
vo
vi
39.
[ ]
【1】
接續第 38 題，當 vi正半週，下列何者正確?
(1)D1不導通、D2導通 (2)D1導通、D2不導通
(3)D1導通、D2導通 (4)D1不導通、D2不導通
40.
[ ]
【4】
接續第 38 題，每一個二極體導通電壓為 VD，有關 vS與vO敘述，
何者正確?
(1)vO比vS高2VD (2)vO比vS高VD
(3)vS比vO高2VD (4)vS比vO高VD
41.
[ ]
【4】
下圖電路，當二極體 D2壞掉，變成斷路，仍具有何者功能？
(1)升壓 (2)降壓 (3)全波整流 (4)半波整流
R
D1
vs
vs
D2
vo
vi
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第10 頁/共13 頁
42.
[ ]
【2】
接續 41 題，當 vi為正半週弦波，輸出電壓 vo波形，下列何者
正確?
(1) 方波 (2)0V (3)正半週弦波 (4)負半週弦波
43.
[ ]
【2】
下圖所示信號產生電路，輸出波形為何？
(1)三角波 (2)方波 (3)正弦波 (4)餘弦波
R
Vo
R1
R2
2
C
2
C
44.
[ ]
【1】
接續第 43 題，輸出信號的頻率為何?
(1) 1
2𝑅𝐶ln(𝑅1+2𝑅2
𝑅1) (2) 1
𝑅𝐶ln(𝑅1+2𝑅2
𝑅1)
(3) 1
2𝑅𝐶ln(𝑅2+2𝑅1
𝑅2) (4) 1
𝑅𝐶ln(𝑅2+2𝑅1
𝑅2)
45.
[ ]
【3】
接續第 43 題，一個電容壞掉，變成斷路，如下圖所示，輸出信號
的頻率有何變化？
(1)不變 (2)變小 (3)變大 (4)不一定
R
Vo
R1
R2
2
C
2
C
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第11 頁/共13 頁
46.
[ ]
【3】
下圖所示數位邏輯網路，輸出 Y與輸入 A、B、C、D的布林
代數式為何？
(1) 𝑌 = 𝐴 ∙ 𝐵 ∙ 𝐶 ∙ 𝐷 (2) 𝑌
= 𝐴 ∙ 𝐵 ∙ 𝐶 ∙ 𝐷
(3)𝑌 = 𝐴 + 𝐵 + 𝐶 + 𝐷 (4) 𝑌
= 𝐴 + 𝐵 + 𝐶 + 𝐷
RL
Y
B
A
D
C
47.
[ ]
【4】
下圖所示上拉式數位邏輯網路，輸出 Y與輸入 C、D、E、F的
布林代數式為何？
(1) 𝑌
= 𝐶 + 𝐷 + 𝐸 + 𝐹 (2) 𝑌
= 𝐶 + 𝐹 ∙ (𝐷 + 𝐸)
(3) 𝑌 = 𝐶 + 𝐷 + 𝐸 + 𝐹 (4) 𝑌 = 𝐶 + 𝐹 ∙ (𝐷 + 𝐸)
QCQD
CD
Y
VDD
QE
E
QF
F
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第12 頁/共13 頁
48.
[ ]
【1】
接續第 47 題，電晶體 QD壞掉，變成斷路，如下圖所示，輸出
信號為何？
(1) 𝑌 = 𝐶 + (𝐹 + 𝐸) (2) 𝑌
= 𝐶 + (𝐹 + 𝐸)
(3) 𝑌 = 𝐶 + (𝐹 + 𝐸) (4)以上皆非
QCQD
CD
Y
VDD
QE
E
QF
F
49.
[ ]
【1】
下圖所示數位傳輸閘邏輯網路，R=5 kΩ，下列敘述，何者正確？
(1)當S =1，輸出 𝑌 = 𝐴 ⊕ 𝐵 (2)當S =0，輸出 𝑌 = 𝐴 ⊕ 𝐵
(3)當S =0，輸出 𝑌 = 𝐴 + 𝐵 (4)當S =1，輸出 𝑌 = 𝐴 + 𝐵
S
Y
A
B
R
R
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50.
[ ]
【4】
接續第 49 題，當傳輸閘 G2壞掉，變成斷路，下列敘述何者
正確：
(1)當S=0，A=0，B=1，輸出 Y=1
(2)當S=0，A=0，B=1，輸出 Y=0
(3)當S=1，A=0，B=1，輸出 Y=1
(4)當S=1，A=0，B=1，輸出 Y=0
S
Y
A
B
R
R
G1
G2