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臺北捷運公司 108 年8月4日新進技術員(電子類)
甄試試題-電子學概要
第1頁/共12 頁
請務必填寫姓名： ．
應考編號： ．
Ans.
選擇題：每題 2分，共 50 題，計 100 分
1.
【1】
下圖所示的理想運算放大器，屬於何種形式？
(1) 反向輸入 (2)非反向輸入 (3)正規化輸入 (4) 非正規化輸入。
R
1
R
2
R
3
v
1
v
2
v
o
2.
【3】
接續第 1題，v
1
=5V，v
2
=10V，R
1
=10kΩ，R
2
=20kΩ，R
3
=100kΩ，電
壓vo為多少伏特？
(1)+100 (2)+125 (3)-125 (4) 以上皆非。
3.
【2】
何謂非反向輸入？
(1)輸入和輸出信號相差180度 (2)輸入和輸出信號相差0度 (3)輸入
和輸出信號相差 90 度(4)
輸入和輸出信號相差
270
度。
4.
【3】
下圖所示的理想放大器，v
1
=5V，v
2
=10V，R
1
=10kΩ，R
2
=20kΩ，當
R3壞掉，變成斷路，電壓 vo接近多少伏特？
(1)0 (2)+VSat (3)-VSat (4)
以上皆非。
R1
R2R3
v1
v2vo
5.
【1】
下圖所示的理想放大器，v
1
=5V，R
2
=100kΩ，當 R
1
壞掉，變成斷路，
電壓 vo接近多少伏特？
(1)0 (2)+VSat (3)-VSat (4)
以上皆非。
R1
R2
v1vo
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6.
【2】
下圖所示放大器電路，Q
1
=Q
2
，V
CC
=10V，-V
EE
= -10V，V
BE(ON)
＝0.7V，
VT=25mV，RC1= RC2=5KΩ，REE=4.65KΩ，β=100。放大信號時，電
晶體 Q1與Q2要操作在哪一區？
(1) 截止區 (2)主動區 (3)飽和區 (4)三極管區。
V
EE
Q
1
Q
2
R
C1
R
C2
V
CC
V
1
V
2
I
C1
I
C2
I
EE
R
EE
7.
【3】
接續第 6題，當 V
1
=V
2
，操作在共模模式，可以用下圖之半電路做
分析。電阻 R為多少？
(1)2.325KΩ (2)4.65KΩ (3)9.3KΩ (4)以上皆非。
V
EE
Q
1
R
C1
V
CC
V
1
I
C1
R
I
E1
8.
【1】
接續第 7題，當 V
1
=0V，電流 I
E1
為多少毫安培？
(1)1 (2)2 (3)4 (4)以上皆非。
9.
【2】
接續第 7題，當 V
1
=0V，電流 I
C1
為多少毫安培？
(1)0.099 (2)0.99 (3)9.9 (4)以上皆非。
10.
【2】
接續第 6題，當 V
1
=V
2
=0V，電晶體之 g
m
近似值為？
(1)4mƱ (2)40mƱ (3)400mƱ (4)以上皆非。
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11.
【4】
接續第 6題，差模阻抗 R
id
如下圖，R
id
為多少歐姆?
(1)5 (2)50 (3)500 (4)5000。
Q1Q2
RC1 RC2
vid
Rid
12.
【3】
下圖所示理想二極體電路，V
T
=0.7V 輸出電壓 v
o
最低為多少伏特？
(1)0 (2) vi (3)-0.7 (4)+0.7。
v
o
v
i
R
13.
【1】
下圖所示理想稽納二極體電路，
V
T
=0.7V
輸出電壓
v
o，下列何者正
確？
(1)最高電壓為(VZ2+0.7V) (2)最高電壓為(VZ1+0.7V)
(3)最低電壓為(-VZ2-0.7V) (4)最低電壓為(-VZ1+0.7V)
v
o
v
i
R
Z
1
Z
2
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14.
【4】
下圖所示積體電路，週邊放置電子原件 Z
1
，其用途為何?
(1)溫度保護 (2)濕度保護 (3)防撞防護 (4)靜電防護。
積體
電路
V
CC
Z
1
15.
【2】
接續第 14 題，元件 Z
1
何項敘述錯誤?
(1)需符合人體模型(HBM)測試 (2)啟動時，通過低電流 (3)低動態電
阻 (4)低電容量。
16.
【1】
下圖所示電流鏡電路，輸出電壓 V
out
最低需滿足何條件?
(1)Q2在飽和區 (2)Q2在主動區 (3)Q2在三極管區 (4)Q2在截止區。
R
1
Q
2
I
D2
Q
1
V
DD
V
out
I
D1
(W/L)
1
(W/L)
2
17.
【3】
接續第 16 題，輸出電壓 V
out
最低為何?
(1)Vds2+Vt (2)Vgs2+Vt (3)Vgs2-Vt (4)Vds2-Vt。
18.
【3】
接續第
16
題，
(W/L)
2為
(W/L)
1
6
倍，電流
I
D2 為
I
D1 幾倍
?
(1) 2 (2)4 (3)6 (4)8
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19.
【2】
電晶體電氣特性如下圖，操作在飽和區，隨者電壓 V
DS2
上升，電流
ID2 上升，此原因為何？
(1)基底效應 (2)通道調變效應 (3)霍爾效應 (4)熱跑脫效應。
V
DS2
I
D2
V
GS2
-Vt
-V
A
0
飽和區
20.
【1】
接續第 19 題，操作在飽和區，描述電流 I
D2
對應電壓 V
DS2
效應，可
以用電壓-VA表示，有關-VA說明，何者正確？
(1)-VA值越小，電流 ID2 變化較小。
(2)-VA值越小，電流 ID2 變化較大。
(3)-VA值越小，電壓 VDS2 變化較小。
(4)-VA
值越小，電壓
VDS2
變化較大。
21.
【4】
接續第 19 題，操作在飽和區，如何降低電流 I
D2
對應電壓 V
DS2
之變
化?
(1)增加 VGS2-Vt
(2)選用通道寬度較寬的電晶體。
(3)選用通道寬度較窄的電晶體。
(4)選用通道長度較長的電晶體。
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22.
【2】
下圖所示的放大器電路，有關負載敘述，何者正確？
(1)無負載 (2)主動負載 (3)被動負載 (4)電阻負載
Q
1
Q
3
Q
2
v
i
v
O
V
DD
I
REF
iD1
23.
【3】
接續第 22 題，有關電晶體 Q
2
的敘述，何者錯誤？
(1)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 ro2。
(2)當作電流源，提供定電流。
(3)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 1/gm2。
(4)增強型電晶體。
24.
【3】
接續第 22 題，電晶體操作區域，何者正確？
(1)Q1三極管區，Q2三極管區。
(2)Q1飽和區，Q2三極管區。
(3)Q1飽和區，Q2飽和區。
(4)Q1主動區，Q2主動區。
25.
【1】
接續第 22 題，放大器增益(v
o
/v
i
)為何？
(1)gm1(ro1//ro2) (2)gm1ro1+gm1ro2 (3)gm1ro1 (4)gm1ro2。
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26.
【4】
接續第 22 題，下圖所示為輸出電壓 v
O
對應電流 i
D1
的曲線圖，
如果操作在負載曲線 B點左邊，下述何者正確？
(1)Q1飽和區，Q2三極管區。
(2)Q1飽和區，Q2飽和區。
(3)Q1三極管區，Q2三極管區。
(4)Q1三極管區，Q2飽和區。
i
D1
v
GS1
=V
iA
0V
DD
v
O
v
GS1
=V
iB
B
A
V
oA
=V
GS1
-V
tn
V
oB
=V
DD
-(V
SG2
-|V
tp
|)
27.
【2】
接續第 26 題，如果操作在負載曲線 A點與 B點之間，下述何者正
確？
(1)Q1飽和區，Q2三極管區。
(2)Q1飽和區，Q2飽和區。
(3)Q1三極管區，Q2三極管區。
(4)Q1三極管區，Q2飽和區。
28.
【1】
接續第 26 題，如果操作在負載曲線 A點右邊，下述何者正確？
(1)Q1飽和區，Q2三極管區。
(2)Q1飽和區，Q2飽和區。
(3)Q1三極管區，Q2三極管區。
(4)Q1三極管區，Q2飽和區。
29.
【3】
接續第 26 題，當放大器使用時，輸出電壓 v
O
為何？
(1)小於 VoA (2)大於 VoB (3)VoA 與VoB 之間 (4)以上皆對。
30.
【3】
接續第 22 與26 題，電晶體 Q
1
當作開關使用，下述何者正確？
(1) 操作在負載曲線 A點與 B點之間。
(2) 操作在負載曲線 VDD 點。
(3) 操作在負載曲線 A點右邊，或負載曲線 B點左邊。
(4)以上皆對。
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31.
【1】
下圖所示的類比濾波器電路，屬於何種形式？
(1)低通 (2)高通 (3)帶通 (4)帶拒。
R
1
v
o
C
v
i
R
2
32.
【4】
接續第 31 題，濾波器階數為何？
(1)4 (2)
3
(3)
2
(4)
1
。
33.
【2】
接續第 31 題，直流電壓增益為何？
(1)0 (2)
−𝑅
2
𝑅1
(3)
𝑅
2
𝑅1
(4)
−𝑅
1
𝑅2
。
34.
【1】
接續第 31 題，高頻電壓增益為何？
(1)0 (2)
−𝑅
2
𝑅1
(3)
𝑅
2
𝑅1
(4)
−𝑅
1
𝑅2
。
35.
【4】
接續第 31 題，3dB 角頻率為何？
(1)
−1
C𝑅1
(2)
−1
C𝑅2
(3)
+1
C𝑅1
(4)
+ 1
C𝑅2
。
36.
【3】
下圖所示密勒定理(Millier’s theorm)，Z
1
表示式為何？
(1)
+ 𝑍
1+𝐾 (2)
−𝑍
1+𝐾
(3)
+𝑍
1−𝐾 (4)
−𝑍
1−𝐾。
Z
Port 1
＋
V
1
－
Z
1
＋
V1
－
Z
2
≡
＋
V
2
=KV
1
－
＋
V
2
=KV
1
－
Port 2
Port 1Port 2
37.
【2】
接續第 36 題，Z
2
表示式為何？
(1)
+𝑍
1+1
𝐾 (2)
+𝑍
1−1
𝐾
(3)
−𝑍
1+1
𝐾 (4)
−𝑍
1−1
𝐾。
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38.
【4】
下圖所示放大器電路，存在寄生電容
C
gs、
C
gd、
C
ds，這些電容最主
要影響放大器哪一項特性？
(1)低頻增益 (2)電流 (3)電壓 (4)操作頻寬。
Q
1
Q
3
Q
2
v
sig
v
O
V
DD
I
REF
C
gd
R
sig
R
L
C
gs
C
ds
39.
【2】
下圖所示放大器電路，放大器增益 K= -100V/V，使用密勒定理
(Millier’s theorem)可以將電容 Cgd 移除，轉換成輸入端電容 CX，請
問CX為何?
(1)1010Cgd (2)101Cgd (3)10.1Cgd (4)1.01Cgd 。
Q1
Q3Q2
vsig
vO
VDD
IREF
CX
Rsig
RL
Cgs Cds
Cgd
40.
【3】
接續第 39 題，有關放大器頻率響應，輸入端的寄生電容與電阻會產
生何項？
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(1)
零點
(2)
原點
(3)
極點
(4)
無窮遠點。
41.
【2】
接續第 39 題，當電阻值 R
sig
大，輸出端電容小，密勒定理(Millier’s
theorem)可以用來計算放大器頻寬，請問頻寬為何？
(1) 1
2𝜋𝑅𝑠𝑠𝑠�𝐶𝑠𝑠−𝐶𝑋�
(2)
1
2𝜋𝑅𝑠𝑠𝑠�𝐶𝑠𝑠+𝐶𝑋�
(3)
1
𝑅𝑠𝑠𝑠�𝐶𝑠𝑠+𝐶𝑋�
(4)
1
𝑅𝑠𝑠𝑠�𝐶𝑠𝑠−𝐶𝑋�
42.
【1】
接續第 41 題，密勒定理(Millier’s theorem)計算的放大器頻寬，位在
下圖那一轉折點？
(1)轉折點 1 (2)轉折點 2 (3)轉折點 3 (4)無窮遠處。
增益(dB)
0頻率
轉折點1
轉折點2
轉折點3
43.
【2】
下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出
X
與輸入
C
、
D
的布林代數式
為何？
(1) 𝑋=𝐶∙𝐷 (2)𝑋=𝐶∙𝐷 (3) 𝑋=𝐶+𝐷 (4) 𝑋=𝐶+𝐷。
QC
QD
C
D
X
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44.
【1】
下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 X與輸入 C、D的布林代數式
為何？
(1)
𝑋=𝐶+𝐷
(2)
𝑋=𝐶+𝐷
(3)
𝑋=𝐶∙𝐷
(4)
𝑋=𝐶∙𝐷
。
Q
C
Q
D
CD
X
45.
【4】
下圖所示下拉式數位邏輯網路，輸出 X與輸入 C、D、E的布林代
數式為何？
(1)
𝑋=𝐶∙𝐷∙𝐸
(2)
𝑋=𝐶∙𝐷∙𝐸
(3)
𝑋=𝐶∙𝐷+𝐸
(4)
𝑋=𝐶∙𝐷+𝐸
。
QC
QD
C
D
X
EQE
46.
【2】
下圖所示振盪器(簡化偏壓)，屬於哪一種？
(1)哈特萊(Hartley oscillator) (2)考畢子(Colpitts oscillator) (3)環型
(4)石英振盪器。
Q
1
RC
1
C
2
L
47.
【3】
接續第 46 題，振盪頻率 fo為？
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(1)
1
2𝜋�𝐿𝐶1𝐶2 (2)
1
2𝜋�𝐿(𝐶1+𝐶2) (3)
1
2𝜋�𝐿� 𝐶1𝐶2
𝐶1+𝐶2� (4)
1
2𝜋�𝐿�𝐶1+𝐶2
𝐶1𝐶2� 。
48.
【2】
接續第 46 題，有關振盪器回授網路，下述何者正確？
(1)負回授 (2)正回授 (3)增益大於一 (4)品質因素小，較易振盪。
49.
【2】
下圖所示的放大器輸出級，屬於何種形式？
(1)class C (2)class AB (3)class A (4) class B。
V
EE
R
L
V
CC
v
I
v
o
i
L
Q
N
Q
P
Q
1
Q
2
I
BIAS
50.
【1】
接續第 49 題，使用電晶體 Q
1
、Q
2
目的為何？
(1)增加電晶體 QN、QP導通時間 (2)降低電流消耗 (3)靜電保護
(4)降低操作電壓 VCC 。