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臺北捷運公司 107 年4月29 日新進技術員(電子類)
甄試試題-電子學概要
第1頁/共8頁
請務必填寫姓名： ．
應考編號： ．
選擇題：每題 2分，共 50 題，計 100 分
1.
【3】
下圖所示的理想運算放大器，屬於何種形式？
(1)正規化輸入 (2)非正規化輸入 (3)反向輸入 (4)非反向輸入。
R
f
V
o
R
1
V
in
2.
【4】
承上題，V
in
=6V，R
1
=200kΩ，R
f
=400kΩ，電壓 V
o
為多少伏特？
(1)+24 (2)-24 (3)+12 (4)-12。
3.
【2】
放大器元件中，共模信號指的是哪一類信號？
(1)週期性信號 (2)雜訊 (3)偏壓電壓 (4)
偏壓電流。
4.
【1】
下圖所示的放大器，何項條件滿足時，共模增益(V
o
/V
in
)為零？
(1)
𝑅4
𝑅3
=𝑅2
𝑅1 (2)
𝑅4
𝑅3
=−𝑅2
𝑅1 (3)
𝑅4
𝑅3
= 1
(4)
𝑅4
𝑅3
=−1
。
R
2
V
o
R
1
V
in
R
3
R
4
5.
【3】
放大器設計中，使用差動電路設計的主要原因為何?
(1) 增加增益 (2)降低電壓 (3)消除雜訊 (4)降低電流。
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6.
【2】
下圖所示為二極體電路，用直流伏特計量測 V
o
為多少伏特？
(1)
10
𝜋 (2)
−10
𝜋 (3)10 (4)-10。
2Ω
10cos(200t) (V) Vo
7.
【3】
接續第 6題，流過二極體的最大電流為多少安培？
(1)
5
𝜋
(2)
−5
𝜋
(3)5 (4)-5。
8.
【3】
接續第 6題，二極體之峰值逆向電壓為多少伏特？
(1)
10
𝜋
(2)
−10
𝜋
(3)10 (4)-10。
9.
【1】
接續第 6題，用示波器量測 V
o
，兩個峰值分別為多少伏特？
(1)
0, −10
(2)
0, 10
(3)
0, −10
𝜋
(4)
0, 10
𝜋
。
10.
【2】
下圖所示電路，V
BE(ON)
＝0.7V，電壓 V
CC
=10 V，電阻 R
C
=3KΩ，
RB=250KΩ，β=50。電流 IB為多少毫安培？
(1)0.011 (2)0.023 (3)0.046 (4)0.069。
Q
R
C
V
CC
I
C
R
B
V
C
I
B
11.
【4】
接續第 10 題，電流 I
C
為多少毫安培?
(1)0.55 (2)3.45 (3)2.3 (4)1.15。
12.
【3】
接續第 10 題，電壓 V
C
為多少伏特?
(1)4.5 (2)5.5 (3)6.5 (4)7.5。
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13.
【3】
下圖所示電路，電晶體的 V
BE(ON)
＝0.7V，β＝20，R
1
=2kΩ ，
R2=20kΩ，R3=10kΩ，且 Vi =22V，電壓 Vo最近似的值為何？
(1)9.1V (2)14.1V (3)19.1V (4)24.1V。
R1
R2R3
ViVo
14.
【2】
下圖所示的半加器，A、B為輸入端，Σ為和，C
OUT
為進位輸出端。
Σ與輸入 A、B的布林代數關係式為何？
(1)
Σ= A ∙B
(2)
Σ= A⨁B
(3)
Σ= A + B
(4)以上皆非。
A
BCOUT
Σ
15.
【3】
接續第 14 題，C
OUT
與輸入 A、B的布林代數關係式為何？
(1)
𝐶𝑂𝑂𝑂 = A + B
(2)
𝐶𝑂𝑂𝑂 = A⨁B
(3)
𝐶𝑂𝑂𝑂 = A ⋅B
(4)以上皆非。
16.
【3】
下圖所示的數位轉類比電路，屬於幾位元？
(1)4 (2)6 (3)8 (4)10。
最高位元
最低位元
數位輸入
V
A
數位轉類比
電路
17.
【1】
接續第 16 題，參考電壓為 10 伏特，輸入為 10011001 時，輸出類
比電壓為多少伏特?
(1)5.98 (2)6.98 (3)7.98 (4)8.98。
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18.
【1】
下圖所示電路，電晶體偏壓於作用區，
r
π
=1KΩ
，
β=200
。運算放大
器輸入阻抗為無窮大，輸出阻抗為零，增益 AV為1000。RC=6KΩ
，
RE=0.5KΩ，RS=0.5KΩ，RF=19.5KΩ。回授架構屬於何種型式?
(1)串並 (2)並串 (3)串串 (4)並並。
R
C
v
o
v
in
R
F
R
E
V
CC
Q
R
S
v
s
A
V
v
f
19.
【3】
接續第 18 題，此電路屬於下列何種形式?
(1) 轉導放大器 (2)轉阻放大器 (3)電壓放大器 (4)電流放大器。
20.
【2】
接續第 18 題，電晶體轉導 g
m
為多少 mA/V？
(1)100 (2)200 (3)300 (4)400。
21.
【2】
接續第 18 題，電壓增益
Vin
Vs−Vf
多少 V/V？
(1)
800
(2)
−800
(3)
600
(4)-600。
22.
【4】
接續第 18 題，電壓增益
Vo
Vs
多少 V/V？
(1)−20 (2)20 (3)-40 (4)40。
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23.
【1】
下圖所示的串接放大器電路，第一級輸入阻抗 Z
i
為多少？
(1)100kΩ (2)20kΩ (3)50Ω (4)16.7kΩ。
C
20kΩ
C
C=∞
100kΩ
v
i
Z
i
20V
β=100
5kΩ
v
o
193kΩ
Z
o
C
50ΩCZ
i2
I
B
I
E
24.
【3】
接續第 23 題，第 二 級 BJT 之V
BE(ON)
＝0.7V，電 流 I
B
為多少毫安培？
(1)0.3 (2)0.2 (3)0.1 (4)0.05。
25.
【2】
接續第 24 題，第二級 BJT 之電流 I
E
為多少毫安培？
(1)5.1 (2)10.1 (3)20.1 (4)30.1。
26.
【4】
接續第 23 題，第二級 BJT 之射極(Emitter)電阻 r
e
為多少歐姆？
(1)9.92 (2)7.44 (3)4.96 (4)2.48。
27.
【2】
接續第 23 題，第二級 BJT 之基極(Base)電阻 r
π
為多少歐姆？
(1)150.48 (2)250.48 (3)350.48 (4)450.48。
28.
【1】
接續第 23 題，第二級之輸入阻抗 Z
i2
為多少歐姆？
(1)250 (2)350 (3)450 (4)550。
29.
【3】
接續第 23 題，第二級之輸出阻抗 Z
o
為多少歐姆？
(1)3k (2)4k (3)5k (4)6k。
30.
【2】
接續第 23 題，第一級電晶體之轉導 g
m
=200 (mA/V)，第一級之電
壓增益為多少？
(1) -39.38 (2)-49.38 (3)-59.38 (4)-69.38。
31.
【3】
接續第 23 題，第二級之電壓增益為多少？
(1) -3 016 (2)3016 (3)-2016 (4)2016。
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32.
【2】
下圖所示的類比濾波器電路，屬於何種形式？
(1)低通 (2)高通 (3)帶通 (4)帶拒。
R1
vo
vi
C
R2
33.
【4】
接續第 32 題，濾波器階數為何？
(1)4 (2)
3
(3)
2
(4)
1
。
34.
【1】
接續第 32 題，直流電壓增益為何？
(1)0 (2)
−𝑅
1
𝑅2 (3)
𝑅
2
𝑅1 (4)
−𝑅
2
𝑅1。
35.
【4】
接續第 32 題，高頻電壓增益為何？
(1)0 (2)
−𝑅
1
𝑅2
(3)
𝑅
2
𝑅1
(4)
−𝑅
2
𝑅1
。
36.
【3】
接續第 32 題，3dB 角頻率為何？
(1)
−1
C𝑅1
(2)
−1
C𝑅2
(3)
+1
C𝑅1
(4)
+ 1
C𝑅2
。
37.
【2】
接續第 32 題，濾波器函數為何? 註：a
0
和a
1
為常數，不為零。
(1)
a
0
𝑠+𝜔0
(2)
a
1
𝑠
𝑠+𝜔0
(3)
a
1
𝑠+a
0
𝑠+𝜔0
(4)
以上皆非。
38.
【2】
接續第 37 題，濾波器函數的高頻電壓增益多少 dB？
(1)
20log|𝑎
0
|
(2)
20log|𝑎
1
|
(3)
20log|𝑎
0
+𝑎
1
|
(4)
20log �𝑎
0
𝑎1
�
。
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39.
【1】
下圖所示金氧半數位電路，Y的布林表示式為何？
(1)
Y = 𝐴+𝐵
(2)Y=A+B (3)
Y = A ∙B
(4)
Y = 𝐴 ∙ 𝐵
。
Q1Q2
Q3
VDD
AB
ID1 ID2
Y
ID3
40.
【3】
接續第 39 題，當 V
DD
、A、B電壓為 10V，電晶體 Q
3
操作在哪一區？
(1)截止區
(2)三極區 (3)飽和區 (4)
以上皆非。
41.
【2】
接續第 39 題，當 V
DD
、A、B電壓為 10V，電晶體 Q
1
和Q
2
操作在
哪一區？
(1)截止區
(2)三極區 (3)飽和區 (4)
以上皆非。
42.
【4】
接續第 39 題，電晶體 Q
3
的V
t3
=-1V，𝐾3=10𝑢𝐴/𝑉2，電流 I
D3
為多
少微安培？
(1)40 (2)30 (3)20 (4)10。
43.
【
1
】
接續第
39
題，電晶體
Q
1和
Q
2相同規格，
V
t1
= V
t2
=2V
，
𝐾
1
=𝐾
2
=100𝑢𝐴/𝑉2
，電流 ID1 為多少微安培？
(1)5 (2)10 (3)20 (4)40。
44.
【2】
下圖所示電阻，棕黑紅表示電阻值為何？
(1)500Ω (2)1000Ω (3)2000Ω (4)3000Ω。
棕黑紅銀
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45.
【2】
下圖所示金氧半數位電路，它的邏輯閘功能？
(1)非反相器 (2)反相器 (3)或閘 (4)和閘。
Q
N
V
DD
Q
P
v
i
v
o
46.
【2】
接續第 45 題，下圖所示為輸入電壓對輸出電壓，第 I區電晶體工作
區域為？
(1)QN: off、QP: off (2)QN: o ff、QP:三極體 (3) QN:三極體、QP: off
(4)QN:三極體、QP:三極體。
VOH=VDD
Vt
(VDD-Vt)
VDD
III IV V
VDD/2
VOL=0
III
vi
vo
47.
【4】
接續第 46 題，第 II 區電晶體工作區域為？
(1)QN:三極體、QP:三極體 (2)QN:三極體、QP:飽和 (3)QN:飽和、QP:
飽和 (4)QN:飽和、QP:三極體。
48.
【3】
接續第 46 題，第 III 區電晶體工作區域為？
(1)QN:三極體、QP:三極體 (2)QN:三極體、QP:飽和 (3)QN:飽和、QP:
飽和 (4)QN:飽和、QP:三極體。
49.
【2】
接續第 46 題，第 IV 區電晶體工作區域為？
(1)QN:三極體、QP:三極體 (2)QN:三極體、QP:飽和 (3)QN:飽和、QP:
飽和 (4)QN:飽和、QP:三極體。
50.
【3】
接續第 46 題，第 V區電晶體工作區域為？
(1)QN: off、QP: off (2)QN: o ff、QP:三極體 (3)QN:三極體、QP: off
(4)QN:三極體、QP:三極體。