114年初級電磁相容工程師考試樣題

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114 年初級電磁相容工程師能力鑑定-考試樣題公告

114.01 版

科目

評鑑

主題

代碼

評鑑

主題

名稱

評鑑內

容代碼

評鑑內容名稱

公告樣題

L11

電磁

相容

概論

L111

數位

訊號

之頻

譜分

析(時

域與

頻域

轉換)

L11101

傅立葉轉換基

礎

(C)

若有一線性系統，輸入為 X(t)，輸出為 Y(t)，則下列描述何者有錯誤？

(A) kX(t)=kY(t),k 為常數； (B) X_1 (t)+ X_2 (t)=Y_1 (t)+Y_2 (t)；(C)

kX(t)=kY^2 (t),k 為常數；(D)以上皆錯誤

(D)

對於一個週期訊號為 1 ns 的完美方波訊號，請問其對應的頻譜為？

(A) 1 GHz；(B) 3 GHz；(C) 5 GHz；(D) 以上皆是

(D)

若上圖為某訊號之頻域函數(其封包為 sinc 函數)，則其時域函數應為？

(A)正弦波；(B)三角波；(C)單一方波；(D)週期性方波

振幅

頻率

(A)

某週期性方波的振幅大小為 A，週期為 T，工作週期為 50%，求其傅立葉

轉換後在頻域中之直流振幅大小為

(A) A/2；(B) A/T；(C) A/2T；(D) 2A/T

(C)

一時脈訊號波形，頻率為 50 MHz，工作週期(Duty cycle) = 50%，上升時

間 = 2 ns，下降時間 = 2.05 ns，傅立葉轉換至頻譜的現象何為?

(A0 MHz 的奇數高次諧波峰值能量存在；(B)以50 MHz 的偶數高次諧波峰

值能量存在；(C)以50 MHz 的奇偶高次諧波峰值能量存；(D 以亂數峰值能

量存在

(D)

下列何者對於傅立葉轉換的描述正確？

(A)可將時域信號轉換到頻域；(B)信號的頻寬是該信號所含有的弦波成分

的頻率範圍；(C)不論時域信號是否為週期性，皆可由無數的弦波相加而成；

(D)以上皆正確

L11102

數位波形週

期、工作週

期、上升/下降

時間與頻譜之

關係

(A)

若有一採用 50%工作週期之 1MHz 訊號，上升時間為 τ_r=20ns，下降時

間為 τ_f=20ns，請問在什麼頻率開始，會以 40dB/decade 幅度衰減？

(A) 15.9MHz； (B) 7.95MHz； (C) 1MHz；(D) 31.8MHz

(B)

假設週期訊號週期為 1 ns，工作週期(duty cycle) = 50%。若

= 0.1 ns，

則以下何者頻率不可能出現在頻譜上？

(A) 1 GHz；(B) 2 GHz；(C) 3 GHz；(D)以上皆會出現

(D)

上圖(a)為一個數位時脈訊號，其振幅𝐴 = 2，狀態 On 的持續時間 𝜏 =

2s，週期 𝑇 = 4s，上升時間與下降時間相同 𝜏𝑟= 𝜏𝑓= 0.1s，圖(b)為其頻

譜包絡圖，求第一個轉折點𝑃2的位置？

(A) 0.02 Hz；(B) 0.04 Hz；(C) 0.08 Hz；(D) 0.16 Hz

(A)

10.

一個具有週期為 10ns, 工作週期為 50%, 上升/下降時間為 1ns 之週期性方

波，其波德圖中-40dB/decade 的起始頻率點為？

(A) 318.3 MHz；(B) 31.8 MHz；(C) 63.7 MHz；(D) 637 MHz

(B)

11.

對於數位波形特性描述，何者有誤？

(A) 數位信號所有頻率成分的最小頻率稱為「基礎頻率(Fundamental

Frequency)」； (B)數位信號轉折頻率與信號上升或下降時間無關；(C)數位信

號大部分的能量集中在第二轉折頻率以下；(D)以上皆正確。

(C)

12.

下圖敘述何者有誤？

(A)基頻頻率為 1/T；(B)上升時間為 τr；(C)工作週期為 T/2；(D)穩態電壓為

L112

電磁

雜訊

耦合

基礎

原理

L11201

傳輸線效應(等

效模型等)

(A)

13.

關於電容性及電感性耦合現象描述何者正確？

(A)屬於近場耦合問題；(B)屬於遠場輻射問題；(C)屬於聲音放大問題；(D)

以上皆正確

(C)

14.

有一交流訊號(正弦波)消耗在一 50Ω電阻上的功率為 -10 dBW，則此訊號

的峰值電壓為？

(A) 1 V；(B) 2.24 V；(C) 3.16 V；(D) 5.80 V

(A)

15.

如何降低 PCB 板上的共模訊號(common mode noise)？

(A)提高共模回路(common mode loop)阻抗平衡設計；(B)提高共模回路

(common mode loop)接地阻抗；(C)避免接到大型接地面；(D)移除隔離路徑

(D)

16.

傳輸線設計於 50 Ω 時，負載為一電容，其反射訊號與阻抗會如何變化？

(A)同相位反射，高阻抗；(B)同相位反射，低阻抗；(C)反相位反射，高阻

抗；(D)反相位反射，低阻抗

(D)

17.

決定一系統是分佈式(distributed)或是集總式 (lumped)主要的特性為：

(A)流經該系統信號上升時間；(B)系統物理尺寸；(C)佈對於傳輸線路串擾

耦合干擾描述線長度與上升沿有效長度；(D)以上皆正確

(B)

18.

若有一無損耗傳輸線，其特徵阻抗為？

(A) √(C/L)；(B) √(L/C)；(C) √(L+C)；(D) √(L−C)

L11202

EMI 輻射基礎

原理(共模與差

模輻射)

(A)

19.

將一個帶正電的物體靠近一個孤立(isolated)未帶電未與外界連接的導體

後，請問此孤立導體會帶何種電極性？

(A)未帶電；(B)帶正電；(C)帶負電；(D)不一定

(A)

20.

請問共模輻射強度與頻率的關係？

(A)隨頻率呈現 20dB/decade 上升；(B)隨頻率呈現 20dB/decade 下降；(C)隨

頻率呈現 40dB/decade 上升；(D)隨頻率呈現 40dB/decade 下降

(C)

21.

下圖為兩互相耦合傳輸線路及其等效電路，下列何者為正確奇模態阻抗公

式？

(A)𝑍𝑜𝑑𝑑 =√𝐿11+𝐿21

𝐶11+𝐶𝑚；(B)𝑍𝑜𝑑𝑑 =√𝐿11+𝐿21

𝐶11−𝐶𝑚；

(C)𝑍𝑜𝑑𝑑 =√𝐿11−𝐿21

𝐶11+𝐶𝑚；(D)𝑍𝑜𝑑𝑑 =√𝐿11−𝐿21

𝐶11−𝐶𝑚

L11

L22

(D)

22.

有一共模訊號

ˆC

如圖所示並傳遞於線路上，則其輻射強度

ˆC

的頻率響

應為下列何者? (數字後之單位為 dB)

(A) (B) (C) (D)

；；；

(B)

23.

對於互相串擾之傳輸線特性描述，何者有誤？

(A)奇模態特性阻抗比偶模態特性特性阻抗小；(B)奇模態傳播速度比偶模

態傳播速度慢；(C)奇模態有效電氣長度比偶模態短；(D)耦合因子與耦合長

度會改變奇偶模態阻抗

L113

濾

波、

L11301

濾波器基礎原

理

(A)

24.

請依照下圖所示，試問該圖為何種濾波器類型？

0 dB/decade

-20 dB/decade

-40 dB/decade

ˆC

ˆS

max

ˆC

屏蔽

與接

地技

術

ViVo

(A)帶通(Band-pass)；(B)低通(Low-pass)；(C)高通(High-pass)；(D)帶斥

(Band-stop)

(D)

25.

線路上放置元件以抑制電磁輻射干擾，須考慮下列何者？

(A)抑制元件於 PCB 放置位置與走線效應；(B)元件自振頻與濾波特性；(C)

元件非理想特性；(D)以上皆是

(A)

26.

請依照下圖所示，試問該圖為何種濾波器類型？

(A)高通濾波器；(B)低通濾波器；(C)帶通濾波器；(D)帶斥濾波器

L11302

被動元件非理

想特性及其頻

率響應效應

(A)

27.

鐵氧體磁芯(Ferrite Core) 一般適用頻段為？

(A)1GHz 以下；(B)2GHz 以下；(C)3GHz 以下；(D)6GHz 以下

(D)

28.

若電路中有一電容接腳過長，下列描述何者正確？

(A)濾波器截止頻率偏移；(B)降低雜訊濾波效果；(C) 共振頻率偏移；(D)

以上皆正確

(B)

29.

非理想的去耦合電容由 RLC 串聯電路所構成，如圖所示，其中 Rs為電容

的等效串聯電阻(ESR)，L為等效電感(ESL)，C為電容。請問 ESL 變大，

去耦合電容的共振點會？

(A)頻率往高頻移動；(B)頻率往低頻移動；(C)不受影響；(D)阻抗上升

L11303

屏蔽基礎原理

(B)

30.

一平面波由空氣正向入射至一個厚度為 t的平面屏蔽體，如果入射波剛進

入屏蔽體的電場強度為

inc

，假設集膚深度為



，忽略多重反射效應，

則穿透電場強度為

inc

的幾倍？

(A)



−

；(B)

( / )t



−

；(C)

ln( )t



；(D)

ln( / )t



(B)

31.

如果用全金屬機殼保護內部電路，但為了散熱，挖了一個長度約為 5 cm 的

開槽，請問下列哪一個頻率最容易從開槽中輻射出去?？

(A) 500 MHz；(B) 3 GHz；(C) 1.5 GHz； (D) 4.5 GHz

(B)

32.

對於電磁輻射干擾防護之描述，何者有誤？

(A)利用 PCB 接地抑制訊號間之耦合；(B)導電平面上之槽孔不會影響屏蔽

效果；(C)解耦合電容有效抑制電源供應系統上之雜訊干擾；(D)以上皆是

(A)

33.

若金屬屏蔽體需開孔洞，建議以何種方式最佳？

(A)開多個小洞；(B)開一個大洞；(C)開一狹長孔洞以阻擋金屬上之電流；

(D)開一狹長孔洞的長度等於屏蔽訊號的 λ/2

(A)

34.

有關波阻抗與電磁屏蔽的敘述下列何者正確?

(A) 屏蔽體的厚度比集膚深度厚，吸收損失越大，屏蔽效果越好；(B) 近磁

場在低頻時因集膚深度較大，需要厚金屬衰減，對低頻磁場源隔離要改用

低導磁材料做屏蔽；(C) 反射損失是利用屏蔽體與波阻抗的匹配而達隔離

的作用；(D) 對於遠場之屏蔽，低頻時主要是依賴金屬屏蔽體之吸收損失，

高頻時主要依賴此屏蔽體之反射損失

L11304

接地技術

(D)

35.

下列對接地阻抗描述，何者正確？

(A)接地阻抗越低越好；(B)接地阻抗會產生雜訊電壓；(C) 接地點位置會影

響接地阻抗；(D) 以上皆是

(A)

36.

下列何種狀況，外殼為金屬的機器比較容易累積靜電？

(A)在乾燥的環境中操作並加裝絕緣輪胎的機器；(B)在乾燥的環境中操作

並直接接觸地面的機器；(C)在潮濕的環境中操作並加裝絕緣輪胎的機器；

(D)在潮濕的環境中操作並直接接觸地面的機器

(A)

37.

為解決 EMI 問題，去耦合電容應放置於何處？

(A) 靠近雜訊源；(B)靠近電源供應器；(C)有放即可；(D)放置 PCB 邊緣防

止輻射

(B)

38.

一般高速數位電路設計中所用的去耦合電容(decoupling capacitor)可視為將

整個電路的接地設計成何種接地方式？

(A)單點接地；(B)多點接地；(C)不接地；(D)浮接 (floating)

(D)

39.

在高速數位電路設計中，圍著 IC 的電容牆(capacitor wall)不提供下列何者

功能？

(A)儲存電荷以利高速訊號切換；(B)阻擋雜訊從 IC 中流竄出；(C)降低電容

的寄生電感效應；(D)減少 IC 的功率損耗

(D)

40.

對於數位電路產生接地彈跳(Ground Bounce)原因，下列何者描述有誤：

(A)產生在訊號轉態時；(B)與接地系統等效電感相關；(C)常以解耦合電容

抑制；(D)以上描述皆正確無誤

L12

電磁

相容

量測

原理

L121

電磁

相容

量測

技術

L12101

電磁干擾測試

方法及基本原

理

(A)

進行 EMC 特性量測，所使用的半電波暗室與全電波暗室，差異在於那個

壁面上，不加裝貼吸波材料？

(A)接地地板；(B)左測；(C)右測；(D)上面

(B)

頻譜分析儀量得訊號功率 -27 dBmW，轉換成電壓約為多少 dBuV？

(A) 70；(B) 80；(C) 90；(D) 100

(A)

近場輻射源若以電壓源開路串聯共振輻射，其阻抗與場量為何？

(A)高阻抗、電場；(B)高阻抗、磁場；(C)低阻抗、電場；(D)低阻抗、磁場

(A)

進行電磁干擾測試前，必須先確認測試環境之背景雜訊，其主要目的下列

何者為非?

(A)解決待測物輻射干擾問題；(B)確認環境雜訊不影響測試結果；(C)了解

背景雜訊之符合規定；(D)確認測試儀器功能是否正常

(B)

使用一電流探棒於 100MHz 時其特性阻抗為 15 dBΩ，測量長度 0.5 m 導

線上的電流，此探棒並以 300 英尺長的 RG-58U 同軸纜線連接至頻譜分析

儀。當頻譜分析儀的讀值於 100MHz 時為 20 dBV，距離導線 3 m 處的輻

射電場強度為何?

(A) 41 dBV/m；(B) 39 dBV/m；(C) 37 dBV/m；；(D) 35 dBV/m

(D)

每次電磁干擾測試前，必須先進行背景雜訊量測，下列敘述何者有誤?

(A)確認所有儀器正常；(B)確認環境雜訊符合規範；(C)確認不影響測試結

果；(D)背景雜訊小於待測物的輻射量即可

L12102

電磁抗擾度測

試方法及基本

原理

(C)

在EN 61000-4-6 傳導抗擾度測試標準中，其測試頻率範圍至少須含？

(A) 150 kHz ~ 30 MHz；(B) 450 kHz ~ 30 MHz；(C) 150 kHz ~ 80 MHz；(D)

450 kHz ~ 80 MHz

(C)

傳導干擾/耐受性測試目的為？

(A)了解產品是否有雜訊會傳導出去；(B)了解產品干擾別人程度；(C)了解

產品隔離突波的能力；(D)以上皆是

(D)

在國際標準規範中，電磁輻射干擾測試所使用之電源阻抗模擬網路

(LISN)，下列何者是其功用？

(A)隔離來自外部電源的雜訊；(B)阻隔來自待測物的雜訊對外部電源的干

擾；(C)輸入阻抗是 50 Ω；(D)以上皆是

(C)

10.

下列關於靜電放電(ESD)測試環境何者有誤?

(A)桌上型待測物須放置於木桌上 (B)待測物下方需使用絕緣墊 (C)木桌上

不可有金屬平面 (D)靜電測試可分為接觸放電與空氣放電

(B)

11.

下列何者是差模傳導輻射的主要來源。

(A)電纜線之間電容性與電感性耦合產生的串音； (B)電源供應器之低頻切

換雜訊；(C)開關元件較高頻的切換雜訊；(D)內部電路的控制元件

(A)

12.

對雷擊突波抗擾測試(Surge)之描述，何者有誤？

(A)主要模擬人體放電影響；(B)測驗模式分為電源線與訊號線；(C)測試為

準為 0.5kV~4kV；(D)測試包括正負極性與相位

L122

電磁

相容

測試

儀器

基本

技術

L12201

LISN 之基本特

性要求

(C)

13.

LISN 前端電路(電源端)中使用電感及電容的目的？

(A)串聯電感電容隔絕雜訊；(B)並聯電感隔絕雜訊，串聯電容轉移雜訊；(C)

串聯電感隔絕雜訊，並聯電容轉移雜訊；(D)並聯電感電容隔絕雜訊

(A)

14.

如果使用具有轉換阻抗(transfer impedance)15 dB之電流探測器(current

probe)，量測 16 uA 之電流，所讀到的電壓值約為

(A) 90 uV；(B) 60 uV；(C) 30 uV；(D) 10 uV

(Ｃ)

15.

一般傳導干擾測試所使用之人工電源網路(AMN)或電源阻抗穩定網路

(LISN)，有關其用途的敘述何者不正確:

(A)取出干擾的高頻信號；(B)阻止供應電源帶進外來的干擾(隔離外界的擾

動)；(C)FCC 法規與歐盟 CISPR、或台灣 CNS 標準都要求 LISN 輸出與接

收機之間裝置截止頻率為 150 kHz 的高通濾波器，以避免電源端的諧波影

響；(D)提供待測設備與供應電源之間的阻抗匹配(提供參考阻抗)

(D)

16.

在國際標準規範中，電磁輻射干擾測試所使用之電源阻抗模擬網路

(LISN)，下列何者不是其功用?

(A)提供乾淨之 DC/AC 電源品質；(B)阻擋待測件雜訊回饋至電源；(C)射

頻(RF)耦合；(D)阻抗匹配

(D)

17.

如一磁珠(ferrite bead)之電性與磁性參數分別為：ε = 𝜀𝑟−𝑗𝜀𝑖 與 μ=

𝜇𝑟−𝑗𝜇𝑖，請問其電阻成分主要來至於那個部分？

(A) 𝜀𝑟；(B) 𝜀𝑖；(C) 𝜇𝑟；(D) 𝜇𝑖

L12202

測試天線之基

本特性要求

(Ａ)

18.

若天線之 VSWR=3:1，其反射損失(return loss)約為

(A) 6 dB；(B) 8 dB；(C) 10 dB；(D) 12 dB

(Ｃ)

19.

某物體上靜電消失所需之時間，與它的何種特性成正比？

(A) 導電率；(B) 磁性常數；(C) 電性常數；(D) 以上皆是

(D)

20.

下圖為一般執行完整電磁干擾符合性測試的 EMI 接收機內部之預選器

(Preselector)電路，其係為一可獨立分離之單元，以下有關其功能之敘述何

者不正確？

(A)輸入保護；(B)前級放大；(C)鎖定頻譜分析儀本的振盪器之掃描調諧濾

波器；(D)會因此而使動態範圍減小

(Ａ)

21.

EMI 遠場量測時，量測距離的校正曲線應由 EMI 天線那個參數來校驗？

(A)天線因子；(B)天線增益；(C)匹配阻抗；(D)天線尺寸

(C)

22.

關於近場探棒的敘述，下列何者錯誤?

(A)近場探棒與待測物的距離應小於/6；(B)近場探棒的校正以場強對輸出

電壓來表示；(C)電場探棒通常用來偵測從機殼縫隙或電纜排線發射的雜

訊；(D)近場探棒的選用，要權衡靈敏度與精確度

(A)

23.

在輻射電磁干擾測試電波暗室中，四周與地面通常會佈滿吸波材料

( Absorber)，其功能為？

(A) 避免暗室內訊號反射干擾(B) 美觀 (C)阻隔外界干擾 (D) 阻隔訊號進

入號角天線

L123

電磁

相容

之測

試場

地特

性要

求

L12301

測試場地(如:開

放測試場地、

隔離室、半電

波暗室、全電

波暗室)

(D)

24.

若使用在電波暗室之蜂巢式通風口，其上之方型孔洞寬約 1英吋，在多高

頻率以上之電磁波便可通過此蜂巢式通風口？

(A) 1 GHz；(B) 2 GHz；(C) 4 GHz；(D) 6 GHz

(B)

25.

橫向電波小室由同軸線演變而來，主要是何種原理以及內部為何種電磁

波？

(A)放大器原理，TEM 波；(B)傳輸線原理，TEM 波；(C)電磁波原理，

TM 波；(D)導波管原理，TE 波

(B)

26.

以下何種環境不適合測試輻射雜訊？

(A)橫向電磁波室(TEM cell)；(B)屏蔽室(shielded room)；(C)電波暗示

(anechoic chamber)；(D)戶外開放場地(open area test site)

(C)

27.

若NSA 為正規化場地衰減，則 EMI 測試場地衰減的限制值為何?

(A)NSA2 dB；(B)NSA 3 dB；(C) NSA4 dB；(D) NSA6 dB

L12302

屏蔽效率

(Shielding

Effectiveness)原

理與目的

(B)

28.

.若要以屏蔽室(shielded room)阻隔很低頻之電場，主要是依賴此屏蔽室之

何種能力？

(A) 多重反射；(B) 反射；(C) 衰減；(D) 以上皆是

(Ａ)

29.

屏蔽效益(Shielding effectiveness)定義為何？

(A)入射電場除以穿透電場；(B)入射電場除以被吸收之電場；(C)入射電場

除以反射電場；(D)入射磁場除以入射電場

(D)

30.

對於屏蔽效率測試之描述，何者正確？

(A)頻估測試環境設施或進出孔洞屏蔽效能；(B)常使用連續波浸入(CWI:

Continuous Wave immersion)測試方法；(C)完整設備有天線、訊號產生器

與頻譜分析儀、射頻放大器、以及網路分析儀；(D)以上皆是

(B)

31.

假設被干擾源線段面積為10−3 𝑚2，干擾源磁場密度為10−6 weber/𝑚2，工

作頻率為 100 kHz，求此線段所受感應電壓所需隔離至少為多少 dB？

(A)46 dB；(B)56 dB；(D)66 dB；(D)76 dB

L12303

正規化場地衰

減、場地駐波

比、場強均勻

度原理與目的

(C)

32.

如果在 3 m 標準量測到電磁波場強為 40 dBuV/m，那在 10 m 標準應量到

約

(A) 37 dBuV/m；(B) 34 dBuV/m；(C) 30 dBuV/m；(D) 27 dBuV/m

(D)

33.

場地駐波比目的是了解場地中何種波動現象？

(A)直線路徑波；(B)地面反射波；(C)牆面反射波；(D) 以上皆是

(C)

34.

為符合場均勻度，通過 3米NSA 驗證之半電波暗室尺寸建議應為？

(A)3(L)x3(W)x3(H)；(B) 7(L)x4(W)x3(H)；(C) 9(L)x6(W)x6(H)；(D)

5(L)x5(W)x5(H)

(C)

35.

在IEC 61000-4-3 輻射耐受標準，輻射、射頻、電磁場抗擾測試，其中執

行均勻場強校正，應以每多少 m為一間隔量測正向功率及場強？

(A)0.6；(B)2；(C)0.5；(D)1

(C)

36.

在ISO 靜電測試規範中，待測件進行未供電(UNPOWER)測試，測試件下

面需放罝何種材質

(A)接地點(ground point)；(B)隔離墊(isolating support)；(C)散逸片

(Dissipative mat)；(D)水平耦合板(HCP)

電磁相容工程師-初級評鑑內容代碼對照表