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【請接續背面】
臺灣菸酒股份有限公司 100 年從業評價職位人員甄試試題
甄試類別【代碼】： 電氣技術員【B2505】、 電子技術員【B2508】
專業科目 1：電子學 ＊請填寫入場通知書編號：________________
注意：•作答前須檢查答案卡、入場通知書編號、桌角號碼、應試類別是否相符，如有不同應立即請監試人
員處理，否則不予計分。
‚本試卷正反兩頁共 40 題，每題 2.5分，限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答，請選出最適當答案，答
錯不倒扣；未作答者，不予計分。
ƒ應考人得自備簡易型電子計算機應試(按鍵不得發出聲響)；不得使用財務型或工程用計算機。若應
考人測驗時於桌面上放置或使用不符規定之電子計算機，經勸阻無效，仍執意使用者，該科扣 10
分；計算機並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。
„答案卡務必繳回，違反者該科成績以零分計算。
【2】1.如【圖 1】所示之電路，稽納二極體之崩潰電壓為 9 V，則 Vo為何？
• 6 V
‚ 8 V
ƒ 9 V
„ 10 V
【3】2.單相二極體橋式全波整流器之輸入電壓為
122sin337
t
V，則其輸出電壓平均值為何？
• 17 V ‚ 12 V ƒ 10.8 V „ 6.5 V
【4】3.如【圖 3】所示之電路，若
42sin20 V
i
Vt
=，則
o
V
之最小值為何？
• 1 V
‚ 0 V
ƒ -1 V
„ -5.7 V
【1】4.若BJT 偏壓於作用區，基極電流為 0.04 mA而射極電流為 4 mA，BJT 的
α
值為何？
• 0.99 ‚ 0.98 ƒ 0.97 „ 0.96
【3】5. BJT 的集極電流和基極電流分別為 IC與IB，若
CB
II
β
<，則 BJT 工作於用哪一區？
•截止區 ‚作用區 ƒ飽和區 „崩潰區
【4】6.如【圖 6】所示之電路，若電晶體之
β
=80，()
0
CEsat
V
=
V且工作於飽和區，則最小基極電流為何？
• 48 µA
‚ 55 µA
ƒ 64 µA
„ 75 µA
【2】7.在電路中射極隨耦器的功用為何？
•功率轉換 ‚阻抗轉換
ƒ電流轉換 „電壓轉換
【1】8.有關 BJT 之偏壓電路，下列何者穩定度最低？
•固定偏壓電路 ‚自給偏壓電路 ƒ分壓偏壓電路 „射極回授偏壓電路
【3】9. BJT 放大電路中，哪一種組態電路的電壓增益與電流增益均可大於 1？
•共基極組態電路 ‚共集極組態電路 ƒ共射極組態電路 „共汲極組態電路
【4】10.有關達靈頓電路特性之敘述，下列何者錯誤？
•輸入阻抗高 ‚電壓增益略小於 1 ƒ電流增益高 „輸出阻抗高
【4】11.有一 N通道 JFET，其 IDSS =10 mA，VGS(OFF) = -4 V，若 VGS = -2 V 則汲極電流 ID為何？
• 5.2 mA ‚ 4.2 mA ƒ 3.6 mA „ 2.5 mA
【2】12.若N通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 VGS(P) = -4V，閘極電壓 VG = -1V，汲極電壓 VD = 6 V且源極電壓 VS = 1 V，
則其工作於何種模式？
•截止區模式 ‚夾止飽和區模式 ƒ歐姆區模式 „崩潰模式
【3】13.有關 MOS FET 特性之敘述，下列何者錯誤？
•單載子元件 ‚易受靜電影響
ƒ汲極電流具正溫度係數 „為電場控制元件
【1】14.運算放大器內部為何種耦合方式之多級串聯放大電路？
•直接耦合 ‚ RC 耦合 ƒ變壓器耦合 „ RL 耦合
【3】15.某運算放大器之共模增益為 10，差模增益為 105，則其共模拒斥比 CMRR 為何？
• 60 dB ‚ 70 dB ƒ 80 dB „ 100 dB
【2】16.如【圖 16】所示之理想運算放大器電路，若
1V
i
v
=−
，則 vo為何？
• 5.5 V
‚ -3.5 V
ƒ -8 V
„ -12 V
【4】17.如【圖 17】所示之理想運算放大器電路，若
2V
i
v=，則 vo為何？
• 4 V
‚ 2 V
ƒ -2 V
„ -4 V
【1】18.運算放大器內部主要電路的輸入級為下列何者？
•差動放大電路 ‚射極隨耦器 ƒ達靈頓放大電路 „電流放大電路
【4】19.如【圖 19】所示之電路，運算放大器之開路增益為 120 dB，則發生正飽和的最小 vi為何？
• 100 mV
‚ 10 mV
ƒ 150 µV
„ 12 µV
【3】20.弦波振盪電路之閉迴路增益約為何？
•
29
‚
3
ƒ 1 „ 0
【2】21.決定韋恩電橋振盪器之振盪頻率的網路為下列何者？
•負回授網路 ‚正回授網路 ƒ負載阻抗 „偏壓電路
【1】22.如【圖 22】所示之運算放大器電路，該運算放大器是理想的。此電路的輸入電阻 Ri=VS/IS為：
• R1
‚ R1+ R2
ƒ R1+ R2+ R3
„ R1+ R2+ R3∥R4
【3】23.同22 題電路，若 R1=R2= R3=R4，此電路的 Vo/Vs為：
• -1 ‚ -2 ƒ -3 „ -4
2kΩ
12V
+
-
Vo
1kΩ
圖【1】
2kΩ
1V
ViVo
圖【2】
10kΩ
1kΩ
6 V
Vi
Vo
圖【3】
+
−
12V
−
12V
+
i
v
o
v
圖【4】 5kΩ
2kΩ
+
−
12V
−
12V
+
i
v
o
v
圖【5】4kΩ
2kΩ
1kΩ
+
−
vo
vi
+12V
-12V
圖【6】
【圖 1】
【圖 3】
【圖 6】
【圖 16】
【圖 17】
【圖 19】
【圖 22】
【3】24.如【圖 24】所示，有一個矽二極體之 iD與vD之關係式為：iD=IS
D
T
v
V
e
，其中 VT為熱電壓，一般取為 25mV。若
當iD=1mA 時，其 vD=0.7V；則當 iD=10mA 時，其 vD之值為：(取ln10=2.3)
• 0.7V
‚ 0.73V
ƒ 0.76V
„ 0.79V
【3】25.如【圖 25】所示之二極體電路，設二極體導通時之電壓 VD=0.7V，已知 R=2kΩ，R1=1kΩ，R2=1kΩ，V1=3V，
V2=5V，則當 VS=+10V時，輸出電壓 Vo約為：
• 3.7V
‚ 4V
ƒ 5.8V
„ 10V
【3】26.如【圖 26】所示之電路，設齊納(Zener)二極體的 VZ=5V，5mA
路要正常運作，iL的最大電流可為：
• 0
‚ 30mA
ƒ 125mA
„ 130mA
【3】27.當一個操作在主動模式(active-mode)之雙極性接面電晶體，若其β=80，互導 gm=40mA/V時，可推知其跨於基
極射極的 rπ 值為：
• 200Ω ‚ 250Ω ƒ 2kΩ „ 2.5kΩ
【1】28.續27 題，並可推知其集極電流 IC值約為：(取熱電壓 VT=25mV)
• 1mA ‚ 2mA ƒ 4mA „ 8mA
【2】29.如【圖 29】所示之電路，設 VCC=5V，電晶體導通之 VBE=0.7V，電晶體飽和之 VCE=0.2V，此電晶體最可能操
作在：
•截止(cut off)模式
‚主動(active)模式
ƒ飽和(saturation)模式
„反向主動(reverse active)模式
【3】30.同29 題電路，若電晶體之β=50，Rc=2kΩ，RB=5.5kΩ，則集極電流 IC值為：
• 0.6mA ‚ 1.2mA ƒ 2mA „ 2.4mA
【4】31.如【圖 31】所示之電流鏡電路，設各電晶體具有相同特性，並均操作於主動模式(active mode)，且不計爾列
效應(Early effect)。若 VCC=5V，R=1kΩ，假設導通之 VBE=0.7V並忽略β，則 IO值約為：
• 4.3mA
‚ 4.8mA
ƒ 7.8mA
„ 8.6mA
【2】32.如【圖 32】所示之電路，電晶體之臨界電壓 Vt=1V。若當 I=1mA 時測得 Vo=2V；則若 I增為 4mA 時，Vo
的值為：
• 2V
‚ 3V
ƒ 4V
„ 5V
【3】33.同32 題電路，該電晶體操作在：
•截止(cut off)模式 ‚三極體(triode)模式
ƒ飽和(saturation)模式 „正好在三極體模式和飽和模式的交界處
【3】34.如【圖 34】所示之 MOS 差動對(differential pair)電路中，Q1與Q2具有相同特性，其臨界電壓(threshold
voltage)Vt=0.8V。當此電路操作於共模輸入電壓 VG1=VG2=VCM 時，該 VCM 的最大值應限定在：
• 0.8V
‚ 2V
ƒ 2.8V
„ 5V
【3】35.同34 題電路，此電路之功率耗損 PD約為：
• 5mW ‚ 10mW ƒ 20mW „ 40mW
【3】36.如【圖 36】所示為一簡化的共源(CS)放大器(其偏壓電路略去未繪示)，其中 Rsig 為輸入訊號源的內阻。電阻
Rsig對此 CS 放大器的中頻電壓增益 AM及對高 3-dB 頻率 fH的影響為：
•對AM及fH的影響均極大
‚對AM的影響極大，對 fH的影響極小
ƒ對AM的影響極小，對 fH的影響極大
„對AM及fH的影響均極小
【2】37.如【圖 37】所示為一個 MOSFET 及其 4個極間電容。當此 MOSFET 接成共源(CS)放大器時，對該放大器之
高頻響應具有最大影響的極間電容通常是：
• Cgs
‚ Cgd
ƒ Cdb
„ Csb
【1】38.一個理想的互導放大器(transconductance amplifier)應具有下列何種特性：
•極大的輸入電阻與極大的輸出電阻 ‚極大的輸入電阻與極小的輸出電阻
ƒ極小的輸入電阻與極大的輸出電阻 „極小的輸入電阻與極小的輸出電阻
【3】39.若一個負回授放大器在高頻引起不穩定的振盪，則該回授放大器(含回授網路)的轉換函數至少含有幾個極點頻
率？
• 1 個 ‚ 2 個 ƒ 3 個 „ 4 個
【2】40.對負回授放大器施加一頻率補償電容，其作用是使該回授放大器的迴路增益(loop gain)L 在可能的振盪頻率
ω180，限定其大小|L|為：
•恰為 0 ‚小於 1 ƒ恰為 1 „大於 1
【圖 24】
【圖 25】
【圖 26】
【圖 29】
【圖 31】
【圖 32】
【圖 34】
【圖 36】
【圖 37】