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年公務人員特種考試司法人員、法務部調查局調查人員、國家安全局
國家安全情報人員、海岸巡防人員及移民行政人員考試試題
考 試 別：國家安全情報人員
等 別：五等考試
類 科 組：電子組
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時
座號：
※注意：
本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題2.5分，須用2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3354
頁次：8
－
1
1 對於 CMOS（Complementary MOS，又稱互補 MOS）反相器電路，VDD 爲汲極偏壓，下列敘述何者正確？
VDD 成正比
交流功率損耗大，並與 VDD 平方成正比 VDD 無關
2 CMOS 可作爲反相器，其主要特性爲：
消耗功率小 MOSFET
輸出由電晶體的源極端接出 免除性最快
3 一般金氧半場效電晶體（MOSFET）是以何種效應控制汲、源極間之電流？
4 當BJT 電晶體應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於何區域？
5 在P型半導體中的主要載子是：
電洞
6 擴散電容（Diffusion Capacitance）主要存在於當 pn 接面：
7 轉阻放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者錯誤？
輸入應爲低阻抗
8 圖示爲理想運算放大器之電路，R1 = 1 kΩ、R2 = 20 kΩ、RL = 10 kΩ，則其電壓增益 AV =VO/VI？
-20 -2 10 21
VI
R2
R1
RL
VO
＋
－
代號：3354
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－
2
9 圖示爲理想運算放大器之電路，R1 = 1 kΩ、R2 = 25 kΩ、RL = 10 kΩ，則其輸入阻抗 Ri爲若干 Ω？
1 k 10 k 25 k ∞
10 下圖爲一個使用 CMOS 傳輸閘組成之邏輯電路，請問輸出 Y爲何？
ABY
B AY
ABB AY
BABAY
11 如圖所示之整流電路，
Ｕ
1為理想運算放大器。假設二極體導通電壓為 0.7 V，電阻 R1=1 kΩ、R2=2 kΩ。
當v1=5 V 時，對於二極體 D1、D2的導通情形，下列敘述何者正確？
D1導通、D2不導通 D1、D2都導通
D1、D2都不導通 D1不導通、D2導通
12 關於 P-N 接面二極體之小訊號導通電阻之敘述，下列何者錯誤？
P-N 接面面積越大電阻越小
13 如圖所示之電路，二極體為理想。va = 100sinωt V，vb = 100sin(ωt-180°) V，求其平均輸出電壓 Vo爲何？
22.51 V 47.74 V 63.66 V 367.46 V
14 圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號 vi的峰值為
Ｖ
m，請問在幾週期後輸出電壓 vo的峰值可達 2
Ｖ
m？
（假設初始狀態各電容電壓降均為零）
vi
vo
va
vb
Vo
Io
B
A
B
R1
R2
D1
D2
U1
vI
vO
R2
VO
VI
R1
VO
Ri
RL
A
B
Y
R2
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15 下圖電路是何種電路？
16 分析下列之電路，若 D1 與D2 之面積皆相同，若 vi 與vo 為交流小訊號，C1 與C2 之電容值為無限大，
則vo / vi =？
1/10 1/5 5 10
17 如圖所示之電路，輸入電壓 vi為一交流弦波，有效值為 11 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為
0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？
0.25 V 2.25 V 4.25 V 6.25 V
18 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸入阻抗最大？
-射極組態
19 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為
ro，則此放大器的電壓增益為何？
-gmRD -gm(RD // ro) -ro / RD -RD / ro
vi
vo
D
C
10 V
1 mA
0.1 mA
vi
vo
C1
C2
D1
D2
vi
＋
－
2.2 kΩ
50 μF
vo
RD
+VDD
vo
vi
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4
20 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
爾利效應（Early Effect）爲基極有效寬度調變所造成
Early Voltage）越大，則相同之集極電流條件下，輸出阻抗越小
PNP 電晶體工作於主動區（Forward Active Region）時，射極電壓較集極電壓爲低
NPN 電晶體工作於主動區（Forward Active Region）時，流入基極之電流主要爲電子載子電流
21 如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為
ro
∞，則此放大器的輸出電阻 Ro為何？
RS RS/(1+ gm RS) 0 ∞
22 下圖電路爲一個音頻放大器，若欲設計此電路，使得其低 3分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）爲
15 Hz，則電路中 C1應使用多大之電容？
0.22 µF 0.47 µF 0.59 µF 0.75 µF
23 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，λ= 0，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，
CDB = 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G端之極點頻率爲何？
1.97 GHz 2.97 GHz 3.97 GHz 4.97 GHz
+VDD
vo
VDD
G
200 Ω
1 kΩ
+
-
vo
RD =
5.6 kΩ
Rs =
5 kΩ
RL =
12.4 kΩ
RG =
100 kΩ
C1
－10 V
+10 V
Ro
Rs
vi
vi
vo
。
。
。
vi
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24 如圖所示 MOSFET 電路，電晶體 M是增強型（enhancement type）n通道 MOSFET。
已知 VDD = 3 V、
tn
V
= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V2、ID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro，則此電晶體
工作的區域為：
breakdown region） triode region）
cut-off region） saturation region）
25 圖示電路，若 VCC = +12 V，且電晶體之 β >>1，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電壓
VB之最大値約爲若干伏特？
1 2 3 4
26 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，假
使此電路之轉折（corner）頻率爲 130 Hz，β = 100，求此電路中電晶體之轉導（transconductance）
約爲何？
60 mA/V 70 mA/V 80 mA/V 90 mA/V
R
●
●
VDD
ID
－
M
GND
＋
vo
vo
RC
RE
RC
50 kΩ
VB
VCC
2 kΩ
8 kΩ
10 kΩ
vin
1 μF
VCC
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27 圖示電路主要作用爲：
電壓緩衝器（Voltage Buffer）
Clamping）
28 圖示電路，若電晶體的 µnCox(W/L) = 100 mA/V2、輸出阻抗 ro = 10 kΩ，RD = 10 kΩ，I = 0.125 mA，
則電壓增益 Av爲若干？
5 10 25 50
29 一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）是由下列那一種組合所構成？
CS-CG CG-CD CS-CD CD-CG-CS
30 下列關於 Chebyshev 低通濾波器的描述，何者錯誤？
爲一全極點濾波器
與最小値的總數小於其階數
Chebyshev 濾波器具有較 Butterworth 濾波器大的止帶衰減量
31 量測一內部補償的運算放大器，其直流增益為 7×104，增益下降 20 dB 的頻率為 1 kHz，求其 3 dB 頻
率的近似值為何？
10 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz
32 有一差動放大器，共模互斥比 CMRR = 1000，差模增益 Ad = 200，若兩輸入端訊號電壓分別爲 100 μV
及50 μV，則輸出電壓 Vo約爲多少？
6 mV 8 mV 10 mV 12 mV
33 一個兩級串接理想放大器電路，若電壓增益依序爲 20 及25，電流增益依序爲 10 及100，則下列敘
述何者錯誤？（log10 2
0.301）
總電壓增益値爲 500 54 dB
500000 114 dB
＋VCC
－VEE
RB
RL
vo
vsig
Rsig
VDD
RD
Rin
－Vss
I
vo
vi
∞
∞
＋
－
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34 分析下列之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為1 mA/V
；
BJT 操作在順向主動區（forward
active region）且轉導值 gm為10 mA/V，β = 100。忽略元件之輸出阻抗 ro，試求
/VVio
=？
10 50 100 1000
35 某可串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別爲 AV1 = 100 和AV2 = 10000，試求總電壓增益爲
多少 dB？
60 dB 120 dB 10100 dB 106 dB
36 圖示 CMOS 運算放大器電路，其中電容 CC主要作用為何？
Filter） Frequency Compensation）
Coupling） Bypass）
37 如圖所示電路，其中 R1C1 < R2C2，下列何者是 Av = Vo/Vi 的頻率響應圖？
VDD
V1
1 kΩ
10 kΩ
Vi
Vb
V2
V3
AV1 =100
AV2 =10000
Q7
Q6
Q4
Q3
Q8
Q5
Q1
Q2
I
CC
＋VDD
－Vss
IREF
vi
vo
vo
vi
R1
R3
R4
R5
R6
R2
C1
C2
AV
AV
AV
AV
f
f
f
f
Vo
vi
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38 如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，ro
，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取
VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，vC1(vC2)之值約為何？
0 2 V 6 V 10 V
39 圖示電路，Q1與Q2具相同特性，若 RD = 4 kΩ，VDD = 10 V，I = 2 mA，則電壓 Vo應爲若干伏特？
2 5 6 10
40 如圖所示之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？
vo之波形爲方波 vo之波形爲三角波 vo之波形爲正弦波 vo之波形爲直流
C
R
R1
R2
－VCC
VDD
vc
vo
RD
I
Q1
Q2
Vo
vI
vB1
vB2
-VEE
VCC
RC
I
iC1
iC2
vC1
＋VCC
vC2
RC
類科名稱：
104年公務人員特種考試司法人員、法務部調查局調查人員、國家安全局國家安全情報人
員、海岸巡防人員及移民行政人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：3354)
測驗式試題標準答案
考試名稱：
電子組
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
C第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
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第13題
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第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
ABBABBAAD
A CCBABCBA
BCDDCBACAB
BC BBBCCCA
D
D
複選題數： 複選每題配分：
標準答案：
備 註：