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【請接續背面】
桃園大眾捷運公司 103 年度新進人員甄試
甄試職別【代碼】：技術員(電子類)【F4916】
專業科目：電子學
＊請填寫入場通知書編號：________________
注意：作答前須檢查答案卡、入場通知書編號、桌角號碼、應試類別是否相符，如有不同應立即請監試
人員處理，否則不予計分。
本試卷為一張雙面，測驗題型為四選一單選選擇題 50 題，每題 2分。限以 2B 鉛筆於答案卡上作
答，請選出最適當答案，答錯不倒扣；未作答者，不予計分。
請勿於答案卡上書寫姓名、入場通知書編號或與答案無關之任何文字或符號。
應考人僅得使用簡易型電子計算器(不具任何財務函數、工程函數功能、儲存程式功能)，但不得
發出聲響；若應考人於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用，經勸阻無效，仍執意
使用者，該科扣 10 分；該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。
答案卡務必繳回，未繳回者該科以零分計算。
【3】1.如【圖 1】所示電路，若輸入電壓 Vi為200mV，則輸出電壓為何？
-20.2V
-24.0V
+20.2V
+24.0V
【3】2.如【圖 2】所示電路，若 VO為4.8V，則 IO為何？
1.6mA 2.4mA
4.0mA 8.0mA
【3】3.如【圖 3】所示電路，若 IDSS=3mA，VP=-4V，則 ID為何？
1mA 2mA
3mA 4mA
【2】4.如【圖 4】所示電路，若運算放大器為理想且電晶體工作在順向作用區，
則IO為何？
0mA
2.5mA
6mA
12mA
【3】5.有一增強型 N通道 MOSFET，其VT=2V，下列敘述何者正確？
若VGS=1V 且VDS=8V 則該 MOSFET 工作於飽和區
若VGS=3V 且VDS=6V 則該 MOSFET 工作於歐姆區
若VGS=4V 且VDS=10V 則該 MOSFET 工作於飽和區
若VGS=5V 且VDS=1V 則該 MOSFET 工作於飽和區
【2】6.如【圖6】所示電路，假設運算放大器為理想且輸出飽和電壓為±12V，若電路具有 8V的遲滯電壓，
則R1/R2 之值為何？
1 2 3 4
【2】7.如【圖7】電路所示，假設 VT=4V、VDD=24V 且已知 VGS=10V 時ID=7.2mA，欲使 VDS=8V，則RD為何？
1KΩ 5KΩ 10KΩ 50KΩ
【2】8.本質半導體中，若在平衡的狀態下，則自由電子濃度（n）、
電洞濃度（p）與本質濃度（ni）三者關係為何？
n＝p＞ni n＝p＝ni
n＞p＞ni n＜p＜ni
【4】9.如【圖 9】所示電路，假設二極體為理想，當 Vi=4+6sin314tV 時，則 Vo輸出電壓為何？
5V 12V 14V 22V
【3】10.如【圖 10】所示電路，假設運算放大器為理想且所有電晶體 VBE 皆為 0.7V，若 VA＝5V、VB=3V，
則Vo輸出電壓為何？
-10V 3V 5V 10V
【4】11.有關半導體之敘述，下列何者正確？
外質半導體帶正電、本質半導體為電中性
P 型半導體帶正電、N型半導體帶負電
P 型半導體是本質半導體摻雜 5價元素所形成
矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(VBR)較鍺(Ge)質半導體為高
【2】12.有關稽納二極體崩潰種類之比較，下列敘述何者正確？
稽納崩潰之崩潰電壓較累増崩潰之崩潰電壓為高
稽納崩潰之空乏區寬度較累増崩潰之崩潰電壓為窄
累増崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較低且具有負溫度係數
稽納崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較高且具有正溫度係數
【4】13.有關電晶體放大電路之比較，下列敘述何者正確？
輸入阻抗 CB>CE>CC 輸出阻抗 CE>CC>CB 電流增益 CC>CB>CE 功率增益 CE>CB>CC
【2】14.如【圖 14】所示電路，求稽納二極體之消耗功率 PZ為何？
6mW 12mW 24mW 48mW
【2】15.如【 圖15】所示電路，若想要有最大功率轉移，則圖中變壓器初級與次級線圈之圈數比(N1：N2)為何？
N1：N2 = 4：20 N1：N2 = 5：1 N1：N2 = 1：4 N1：N2 = 2：3
【1】16.積體電路內之串級放大器電路，大部分採用下列何種耦合方式？
直接耦合 電阻電容耦合 電阻電感耦合 變壓器耦合
【2】17.如【圖 17】所示電路，若 Q1 與Q2 電晶體特性相同，β=100 且VBE=0.7V，則I電流為何？
2.35mA 2.5mA 5mA 10mA
【3】18.如【圖 18】所示電路，假設二極體為理想，當 Vi=20sinωt時，則 Vo輸出電壓範圍為何？
+28~(-12V) +10~(-15V) +10~(-12V) +28~(-15V)
【4】19.如【圖 19】所示電壓波形，則該波形有效值(Vrms)為何？
【2】20.有一差動放大器，其共模具斥比(CMRR)為40dB、差模增益 Ad=100，若輸入共模信號 Vc=10V、差
模信號 Vd=0.1V，則此差動放大器輸出為何？
11V 20V 33V 40V
【3】21.有關電源電路中濾波電路，下列敘述何者正確？
濾波電路的主要目的為消除漣波，其功能如同一高通濾波電路
漣波因數(Ripple Factor，r%)判斷濾波電路好壞的指標，r%愈小漣波成分愈大
當濾波電容愈大或負載變輕（輕負載）時，輸出波形之 r%會愈小
π型濾波器是將 RC 濾波電路中之電容 C以電感 L取代，輸出波形之 r%會愈小
【3】22.有關振盪器之敘述，下列何者錯誤？
正回授為振盪器之必要條件
RC 相移振盪器之回授電路需用 3節RC 電路，故會造成衰減，必須搭配增益為 29 倍的放大器使用
韋恩電橋振盪器因同時存在正/負回授，故可使用「虛接地」特性，方便分析與計算
石英晶體振盪器為振盪頻率最穩定之射頻(RF)弦波振盪電路
【圖 1】
【圖 2】
【圖 3】
【圖 4】
【圖 6】
【圖 7】
【圖 9】
【圖 14】
【圖 15】
【圖 17】
【圖 18】
【圖 19】
【圖 10】
【1】23.如何縮短 BJT 電晶體由飽和進入截止的時間？
必須加速移除 BJT 電晶體飽和時進入基極中之多數載子
必須加速移除 BJT 電晶體飽和時進入基極中之少數載子
必須加速移除 BJT 電晶體集極與射極中之多數載子
必須加速移除 BJT 電晶體集極與射極中之少數載子
【2】24.如【圖 24】所示無穩態多諧振盪電路，欲使電路產生
振盪，則兩晶體之β值至少要多大？
21.3 30.0
42.6 60.0
【2】25.如【圖 25】所示電路，已知β=200，則此電路電壓增益(AV)為何？
4.7 -4.7 -400 -800
【4】26.若將微量之硼元素摻雜於本質半導體中，其半導體材料之類型及電性為何？
P 型，帶正電 N 型，帶負電 P 型，帶負電 P 型，電中性
【3】27.在N型半導體材料中，其內部載子狀況為何？
只有電子 只有電洞
有多數電子及少數電洞 有多數電洞及少數電子
【2】28.有關二極體特性的敘述，下列何者錯誤？
順向偏壓越大則空乏區寬度越窄 逆向偏壓越大則逆向飽和電流會越大
擴散電流是由於載子濃度不均所形成 溫度上升則二極體障壁電壓會下降
【2】29.如【圖 29】所示之理想二極體電路，求 I為多少？
0mA 1mA 1.33mA 2mA
【3】30.如【圖 30】所示之穩壓電路，稽納二極體最大功率消耗為 200mW，在電路能正常工作下，求 RL工
作範圍為何？
250Ω～1KΩ
250Ω～2KΩ
333Ω～1KΩ
333Ω～2KΩ
【2】31.如【圖 31】所示之整流電路，輸入電壓為弦波，電壓峰值(peak value)為200V，二極體之 PIV 值為
何？
70.7V 100V 141.4V 200V
【4】32.如【圖 32】所示之倍壓電路，求 C2兩端輸出電壓約為多少？
20V -20V 28.28V -28.28V
【4】33.有關電晶體組態的敘述，下列何者錯誤？
共射極(CE)組態的輸入信號與輸出信號相位相差 180o
共基極(CB)組態的電流增益小於 1
共集極(CC)組態的電壓增益小於 1
共基極(CB)組態的輸入阻抗最高
【4】34.如【圖 34】所示之電晶體偏壓電路，下列何者不是射極電阻 RE的功用？
提高電路的輸入阻抗 提高電路的輸出阻抗
增加電路的穩定度 提高電路的電壓增益
【3】35.如【圖 35】所示之電晶體電路 β= 100，求 Vo電壓約為多少？
6.2V 5.6V 4.4V 0.2V
【2】36.如【圖 36】所示之電晶體電路 β= 100、
r
= 1KΩ，求輸出阻抗 Ro約為多少？
1Ω 10Ω 500Ω 1KΩ
【1】37.如【圖 37】所示之電晶體電路，求輸入阻抗 Ri約為多少？
800KΩ 1MΩ 2MΩ 4MΩ
【3】38.如【圖 38】所示之電晶體電路 β= 99，求電流增益 IL / Ii 約為多少？
0.33
0.5
0.66
0.99
【2】39.一放大器輸入阻抗為1KΩ、輸出阻抗為 10Ω、電壓增益為 100 倍，求功率增益為多少分貝？
40dB 60dB 80dB 100dB
【4】40.一放大器之低頻截止點為 100Hz，若將此相同之放大器兩組串接後使用，則串接後放大器的低頻截
止點約為多少？
64Hz 100Hz
141Hz 156Hz
【4】41.有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？
場效電晶體為電壓控制元件而雙極性接面電晶體為電流控制元件
場效電晶體的輸入阻抗大於雙極性接面電晶體
場效電晶體的熱穩定度優於雙極性接面電晶體
場效電晶體的增益頻寬乘積大於雙極性接面電晶體
【1】42.有關運算放大器(OPA)在負回授成立時，反向輸入端與非反向輸入端之間所形成的虛短路特性，下列
敘述何者錯誤？
兩輸入端之間電阻等於零
兩輸入端之間電位相等
兩輸入端之間電流等於零
兩輸入端之間可視為短路也可視為斷路
【3】43.如【圖 43】所示之運算放大器(OPA)電路，求電壓增益 Vo / Vi 為多少？
5 6 8 10
【1】44.如【圖 44】所示之運算放大器(OPA)電路，已知 V1 = 1V、V2 = V、V3 = V，求輸出電壓 Vo為多少？
3V 4V 5V 6V
【3】45.如【圖 45】所示之運算放大器(OPA)電路，若 Vi =10
)30100sin(
t
，求輸出電壓 Vo為多少？
-10
)30100sin(
t
-10
)120100cos(
t
10
)60100sin(
t
10
)30100cos(
t
【2】46.如【圖 46】所示之運算放大器(OPA)電路，為何種形式之負回授？
電壓串聯負回授 電壓並聯負回授 電流串聯負回授 電流並聯負回授
【3】47.如【圖 47】所示之運算放大器(OPA)電路，若運算放大器的飽和電壓為±12V，求上臨界電壓 VUT 及
下臨界電壓 VLT？
VUT = 3V、VLT = -3V
VUT = 4V、VLT = -4V
VUT = 6V、VLT = -6V
VUT = 8V、VLT = -8V
【1】48.下列振盪電路，何者不符合巴克豪生準則？
無穩態多諧振盪電路
RC 相移振盪電路
韋恩電橋振盪電路
考畢子振盪電路
【3】49.如【圖 49】所示之韋恩電橋振盪電路，求輸出頻率 fo約為多少？
500Hz
800Hz
1KHz
2KHz
【4】50.如【圖 50】所示之振盪電路，求輸出工作週期(Duty)為多少？
20%
40%
60%
80%
【圖 24】
【圖 25】
【圖 29】
【圖 32】
( 圖五 )
120V(rms)
60Hz
【圖 34】
【圖 35】
( 圖八 )
RB 200 K
【圖 36】
( 圖九 )
100K
1K
【圖 37】
【圖 38】
( 圖十二 )
2K
1K
【圖 43】
【圖 44】
【圖 46】
【圖 45】
【圖 47】
【圖 49】
【圖 50】
【圖 31】
【圖 30】
1K