112年 高普考 高考三級 化學工程 輸送現象與單元操作 試卷

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112年公務人員高等考試三級考試試題
化學工程
輸送現象與單元操
考試時間
2
座號
可以使用電子計算器。
本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
代號
38220
頁次
2
1
0.02 ft300 ft
120 ft3/min的水通過,請計算其產生壓力降pressure drop為多psi
25分)
已知在紊流下摩擦係數fanning friction factor, f= 0.046Re-0.2且水動黏
νH2O= 1.93 × 10-5 ft2/s,水密度ρH2O= 62.4 lb/ft3
一般人平時講話、唱歌、咳嗽,甚至呼吸,就會釋放出許5微米以下的
氣膠當一感染者呼氣時病毒就可透過呼氣將氣膠釋放到環境中為了
解氣膠的所「懸浮」假設一5微米球型液滴的氣膠在27℃靜滯空間自
利用出氣膠的
於氣膠的拖曳阻力?(25分)
氣膠:密度= 1000 kg/m3
空氣:密度= 1.183 kg/m3,黏度= 1.853 kg/ms at 27℃
Hint:若係數(CD)的範圍可用CD= k(Re)-n來估算
Re k n
0-1 24 1
2-500 18.5 0.6
103-2×1050.44 0
一直徑為1.5 cm溫度T0= 25℃的A物體置入TH= 100℃的恆溫水槽中A
物體的密度1050 kg/m3,熱容量(heat capacity2.5 kJ/kgK,熱傳
導係數(thermal conductivity3.5 W/mKA體與水間的熱傳係數
heat transfer coefficient)為60 W/m2K,若A體內部溫度分布是均
的,則:
A(T-TH)/(T0-TH)15
請問3分鐘後A物體的溫度是多少?(5分)
並檢驗畢奧數(Biot number)是否合理?(5分)
代號
38220
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2
有一簡易的矩型蒸鍍機(如下圖),底部放置一矽晶片並加熱進行化學蒸
鍍(chemical vapor deposition, CVD其反應為:
A(g) B(s) + 3E(g)
A為前驅物與惰性氣體氦氣He一起進入經過擴散板diffuser擴散
至晶片表面,藉由下方加熱板升溫將前驅物A熱裂解,B分子則沉積在晶
片表面形成薄膜氣體EHe經由擴散由左側排出假設在擴散板與晶
片之間無流動或擾動之靜止態(quiescent,且無任何裂解反發生,
薄膜B度遠小於δ
請推導在穩態(steady state)下晶片表面A的質量通量(mass fluxNAZ
為何?(25分)
HintDAEAE中的擴散係數莫爾分率yA= yAo at z = 0氣相中的總濃
度為C
進料
A
(g)
He
擴散
z
= 0
薄膜
B
(s)
z
=
δ
熱板
晶片
靜止
狀態
A
(g)
E
(g)
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